-
分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: single image 快门模式: double imagepco.dicam C8是一款基于sCMOS技术，具有2048 x 2048像素分辨率的增强型16位sCMOS相机。它采用高端光学分束器，能够将输入光线均匀分配到8个图像增强器上，通过80G光纤数据接口，提供高达848 fps的全分辨率传输速率。
-
像元尺寸: 6.5µm x 6.5µm 分辨率: 1504 x 1504 传输效率: > 30 % 增益: 16 bit 传感器格式/对角线: 9.8 mm x 9.8 mm / 13.8 mmpco.dicam C8 UHS是基于超快18毫米像增强器的高速相机，采用sCMOS技术，具有高端光学分束器和多种光阴极材料以匹配不同的应用需求。它通过80G光纤数据接口提供1144 fps的全分辨率传输，具有极低的读出噪声和高动态范围。
-
分辨率: 2048x2048像素 像素尺寸: 6.5µmx6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mmx13.3mm/18.8mm 帧率: 120fps@2048x2048像素 动态范围A/D: 16位
基于pco.dicam C8平台的技术，pco.dicam C8 LX提供真正的光学门控成像功能。这款8通道sCMOS相机配备了8个25毫米的高品质成像增强器，高端的串联透镜系统能够将来自单一光学输入的光均匀分配到8个独立通道，无任何伪影。每个通道都能以51纳秒的最短曝光时间探测到单光子，全4.2百万像素分辨率下高达15帧每秒。
-
像素: 1504x1504 曝光时间: 51ns-1s 数据接口: 80G光纤 像增强器直径: 18mm 读出噪声: 1.1e-最低基于成熟的pco.dicam C8平台技术，pco.dicam C8 LT提供真正的光学门控成像的全面访问。这款集成了8个18mm高品质成像增强器的8通道sCMOS相机，其高端串联透镜系统将来自单一光学输入的入射光等量分配到8个独立通道，完全不产生任何伪影。每个通道能够以51ns最短曝光时间检测到单个光子，并在全2.3 MPixel分辨率下达到每秒15帧。
-
活动区域直径: 170-180µm 光子检测效率（PDE）780nm: 64-70% 光子检测效率（PDE）800nm: 62-68% 光子检测效率（PDE）850nm: 54-58% 光子检测效率（PDE）900nm: 41-45%SPCM-NIR是一款专为近红外波长光谱优化的单光子计数模块，具有出色的红外和近红外灵敏度，同时保持了标准SPCM-AQRH的其他性能参数，如均匀性、过载保护、温度稳定性和线性。
-
活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/second
Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块，采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管，具有优于250ps的模块时间分辨率，同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率，活动区域直径为180µm。
-
供电电压: 4.75-5.25V 供电电流: 0.4-1.2A 电源线总电阻: 0.1-0.2Ω 外壳工作温度: 5-70°C 活动区域直径: 170-180µmExcelitas Technologies最近改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可以在400nm至1060nm的波长范围内检测单个光子，其性能参数优于其他固态或真空管基光子计数器。
-
供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µmSPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块，具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK)，能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能，确保在环境温度变化时性能稳定。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/WPCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9µm）的最佳波长λopt下进行了优化。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/WPCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
-
活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/WPC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
-
外形尺寸: 284w x 182h x 188 相机质量（不含电池）: 3.5kg 三脚架/笔记本电脑/相机电池质量: 1.9 kg/2.5kg/1kg 相机电池容量: 100 W/Hr minimum 相机/笔记本电脑功率: 10W/20WResonance GCSO2-2 Gas Camera是一款第三代紫外敏感相机，使用差分光吸收光谱学（DOAS）技术进行大气气体遥感。该相机采用单一CMOS紫外相机同时捕捉目标羽流在310和320纳米波段的两幅图像，以产生SO2浓度图。该系统包括3镜系统和PC控制的SO2气体池轮，以实现整个场域的校准，能够特定检测SO2且不受日光光谱变化的影响，专为火山和工业烟囱SO2排放监测设计，具备高精度的SO2浓度图像映射能力。
-
光源功率模块: 100-240V 单色仪焦距: 200mm 单色仪光栅线数: 1200l/mm 光栅尺寸: 40x45mm 单色仪光栅F值: 4.2Resonance Ltd.的TRSES200是一种用于将真空紫外(VUV)到紫外(UV)辐射传输到目标样品并测量目标反射率、透射率或荧光的评估系统。该系统包括一个从115nm到400nm发射的氘灯、一个200mm焦距的真空单色仪，配备PC控制的电机驱动，以及一个能够检测从115到320nm的Hamamatsu R8486光电倍增管(PMT)，LabviewTM软件和控制电子设备。适用于科研和工业光谱测量，具备高精度、宽光谱范围和用户友好的操作界面。
-
气体填充: Deuterium 峰值波长: 160, 260NM 全光谱范围: 110 to 7000NM VUV光强: 2 x 10^16 to 4 x 10^16Photons/sec/sr 输出角度范围: 22 to 34Degrees这是一个115到1000NM RF灯系统，它是一个可靠且免维护的发射源，发射范围从115到7000NM。该源头可以安装到6英寸CF上，方便连接到UHV系统。VUV通量通过镁氟输出窗口传输，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。内部D2的热源增强了灯管的使用寿命。该灯的低功率版本用于在HST上对WF/PC II相机进行UV/VUV平场校准。
-
光谱范围: 2.0 to 13.8 µm 光学面积: 1 mm × 1 mm 冷却方式: 3TE 温度传感器: thermistor 探测器封装: TO8PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一款HgCdTe三级TE冷却光学沉浸光导红外探测器，适用于FTIR光谱。具有2.0至13.8 µm的光谱范围和长期稳定性。
-
探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
-
探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
-
探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
产品选型就用光电查
个人中心
退出登录