• BW10-1060-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm 工作电流(CW): 5-6 mA

    Bandwidth10的1060nm TO-can是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆级、低成本的制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针帽封装,带有ASP透镜。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • BW10-1550-T-T7 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1550 nm

    Bandwidth10的BW10-1550-T-T7是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于波长稳定,采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps,典型的调谐范围为10纳米。TOSA可用于通过C-和L-波段的几个波段。

  • BW10-1550-T-P 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1050 nm

    Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为10nm。

  • BW10-1550-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1550 nm

    Bandwidth10的BW10-1550-TO是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于波长稳定,采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps,典型的调谐范围为10纳米。该TO可用于通过C-和L-波段的几个波段。

  • BW10-1060-T-P  半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm

    Bandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • BW10-1654-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1654 nm

    Bandwidth10的1654纳米可调谐VCSEL TO-can是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1654纳米VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7引脚开盖封装。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为4nm。

  • SP85-4N001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    1.25/2.5Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • SP85-2D001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    6Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • SP85-1AH001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • AP85-2M104/112 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列

  • AP85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 1x4 PIN-PD 阵列芯片

  • PP85-B1T3N 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 0-4 V

    2.5Gbps GaAs PIN PD TO-46 封装,带前置放大器

  • RP85-LCT2HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C

    带前置放大器的 10Gbps GaAs PIN PD LC-ROSA

  • CIPRM系列相干 InGaAs PIN 平衡接收器模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 800-1700nm 上升时间: 2ns 输出阻抗: 50Ω

    Excelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器,专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR),适用于恶劣环境,且符合RoHS指令。

  • WinCamD系列UV转换器 光束分析仪配件
    美国
    厂商:DataRay

    用于光源诊断应用的Dataray公司的UV转换器。-UV光束撞击在定制的薄水晶面板上,该面板在可见光中发出荧光。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片,支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片,数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择,间距为 250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片,数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

  • D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片,适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率,用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式,通道间距为250微米,可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

  • R56-850TB 光接收模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

    R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器(TIA),组装在高速适配板上,具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合,使用FC/PC连接器输入,设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用,速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。