790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容：PM光纤、选项2（窄发射@792nm，带FBG-TM3+泵浦的理想选择）和选项3（3mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时，可达到792 nm TM3+泵浦波长（所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节）。

Bandwidth10的1060nm TO-can是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆级、低成本的制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针帽封装，带有ASP透镜。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围高达50nm。

Bandwidth10的BW10-1550-T-T7是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于波长稳定，采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps，典型的调谐范围为10纳米。TOSA可用于通过C-和L-波段的几个波段。

Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆级的低成本制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针TOSA封装，永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围为10nm。

Bandwidth10的BW10-1550-TO是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于波长稳定，采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps，典型的调谐范围为10纳米。该TO可用于通过C-和L-波段的几个波段。

Bandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆级的低成本制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针TOSA封装，并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围高达50nm。

Bandwidth10的1654纳米可调谐VCSEL TO-can是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模式1654纳米VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7引脚开盖封装。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围为4nm。

1.25/2.5Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

6Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

14Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列

14Gbps砷化镓 1x4 PIN-PD 阵列芯片

2.5Gbps GaAs PIN PD TO-46 封装，带前置放大器

带前置放大器的 10Gbps GaAs PIN PD LC-ROSA

Excelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器，专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR)，适用于恶劣环境，且符合RoHS指令。

用于光源诊断应用的Dataray公司的UV转换器。-UV光束撞击在定制的薄水晶面板上，该面板在可见光中发出荧光。

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。