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波长: 1030nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0 - 2000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.0004ns
Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家,提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒(FS)激光器,用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器,用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR10提供10µJ高达1MHz。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力,以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合,只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计,如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。
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波长: 1030nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0 - 2000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.0004ns
Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家,提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒(FS)激光器,用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器,用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR30提供高达750kHz的40µJ脉冲能量。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力,以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合,只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计,如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。
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激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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波长: 532nm 最大输出功率: 5000mW 运行模式: CW
JENLAS®D2是一款双频、高光束质量的二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率高达5W(CW)。其CW辐射的效率和调制能力区别于该绿色532nm激光器。这款绿色CW激光器采用紧凑的OEM设计,可轻松集成到终端用户系统中。Jenlas D2.5是久经考验的D2.X系列的扩展。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.5的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。
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波长: 532nm 最大输出功率: 3000mW 运行模式: CW
JENLAS®D2是一款双频、高光束质量的二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率高达3W(CW)。其CW辐射的效率和调制能力区别于该绿色532nm激光器。这款绿色CW激光器采用紧凑的OEM设计,可轻松集成到终端用户系统中。Jenlas D2.3是久经考验的D2.X系列的扩展。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.3的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。
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波长: 532nm 最大输出功率: 8000mW 运行模式: CW
Jenlas®D2.8是Jenlas®D2的老大哥。它是一种具有高光束质量的双频二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率为8W。尽管这款连续绿光激光器的额定功率很高,但其紧凑的OEM设计使其易于集成。Jenlas D2.8是久经考验的D2.X系列的延伸。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光器技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光器介质,可保证较大的光束质量和稳定性。这些连续绿色激光器采用倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.8的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。
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波长: 532nm 最大输出功率: 5000mW 运行模式: CW
Jenlas D2.mini 2W是久经考验的D2.X系列的延伸。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。高效的JENLAS®D2.mini二极管泵浦固态激光器的波长为532nm,输出功率为2、3、5或8瓦。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘状激光技术,使用薄Nd:YVO4盘状激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.mini 2W的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。
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波长: 1085nm 平均输出功率: 100W 脉宽: 220 - 250 ns 光束质量: 1.8 最大脉冲重复率: 200kHz
Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。
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波长: 1085nm 平均输出功率: 20W 脉宽: 200 - 260 ns 光束质量: 1.6 最大脉冲重复率: 80kHz
Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。
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波长: 1085nm 平均输出功率: 30W 脉宽: 200 - 260 ns 光束质量: 1.6 最大脉冲重复率: 80kHz
Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。