• CL50k Nd:YAG激光器 激光器模块和系统
    重复率: 1 - 200 Hz 脉冲能源: 45mJ 脉冲能量稳定性: 5% 脉宽: 9000ns

    今天,世界上50%的激光打孔是由会聚光子学Nd:YAG激光器完成的。我们的激光源被证明适用于各种行业,包括航空航天和陆基涡轮机制造商,并在需要高达50kW的非常高的峰值功率脉冲的冲击钻孔和套孔中表现出色。Convergent Photonics CL系列Nd:YAG脉冲激光器专为激光钻孔而设计,其特点非常适合于涡轮静叶、叶片、护罩和燃烧室衬套的冷却孔钻孔。CL系列激光器也用于国外航空航天材料切割。

  • CLR Nd:YAG激光器 激光器模块和系统
    重复率: 1 - 200 Hz 脉冲能源: 45mJ 脉冲能量稳定性: 5% 脉宽: 9000ns

    今天,世界上50%的激光打孔是由会聚光子学Nd:YAG激光器完成的。我们的激光源被证明适用于各种行业,包括航空航天和陆基涡轮机制造商,并在需要高达50kW的非常高的峰值功率脉冲的冲击钻孔和套孔中表现出色。Convergent Photonics CL系列Nd:YAG脉冲激光器专为激光钻孔而设计,其特点非常适合于涡轮静叶、叶片、护罩和燃烧室衬套的冷却孔钻孔。CL系列激光器也用于国外航空航天材料切割。

  • Diadem IR-10: 飞秒激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1030nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0 - 2000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.0004ns

    Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家,提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒(FS)激光器,用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器,用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR10提供10µJ高达1MHz。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力,以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合,只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计,如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。

  • Diadem IR-30。飞秒激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1030nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0 - 2000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.0004ns

    Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家,提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒(FS)激光器,用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器,用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR30提供高达750kHz的40µJ脉冲能量。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力,以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合,只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计,如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。

  • DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • Gentec-EO - MAESTRO触摸屏能源和电力监控器 能量功率计
    加拿大
    分类:能量功率计
    厂商:Gentec-EO
    探测器兼容性: Photodiode, Pyroelectric, Thermopile 最小可测量能量: <100 fJ 最大可测量能量: <100 kJ 最小可测量功率: <10 pW 最大可测量功率: <100 kW

    Gentec-EO提供与热电和热电堆传感器和光电探测器兼容的单通道、触摸屏能量和功率监控器。Maestro的触摸屏设计和多功能用户界面以及光学规格使其成为科学和工业光测量应用的理想选择。

  • Gentec-EO - 单通道电源监控器 - TUNER 能量功率计
    加拿大
    分类:能量功率计
    厂商:Gentec-EO
    探测器兼容性: Photodiode, Thermopile 最小可测量能量: Not Applicable 最大可测量能量: Not Applicable 最小可测量功率: <100 pW 最大可测量功率: <100 kW

    Gentec-EO提供调谐器-带有调谐针的单通道功率监控器。调谐器与热电堆传感器和光电探测器兼容。多功能用户界面和光学规格使其成为科学和工业激光功率测量应用的理想选择。

  • heliOptics WLI6 干涉仪
    瑞士
    分类:干涉仪
    厂商:Heliotis AG
    干涉仪配置: Twyman–Green Interferometer 光源: White Light 输出极化: Not Specified 有效值重复性: <0.01 waves 有效值精度: <0.005 waves

    HelioSpetTM H6的设计可满足较苛刻的3D在线检测任务的规格,如测量台阶高度、角度、形状、粗糙度、波纹、波度、缺陷、划痕、磨损平整度、共面性、变形膜厚度(层析成像模式)。得益于Heliotis在工业应用3D传感器方面的长期经验,H6将干涉测量精度与鲁棒性和高吞吐量相结合。

  • JenLas D2: 532nm CW绿色激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 532nm 最大输出功率: 5000mW 运行模式: CW

    JENLAS®D2是一款双频、高光束质量的二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率高达5W(CW)。其CW辐射的效率和调制能力区别于该绿色532nm激光器。这款绿色CW激光器采用紧凑的OEM设计,可轻松集成到终端用户系统中。Jenlas D2.5是久经考验的D2.X系列的扩展。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.5的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。

  • JenLas D2.3: 532nm CW绿色激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 532nm 最大输出功率: 3000mW 运行模式: CW

    JENLAS®D2是一款双频、高光束质量的二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率高达3W(CW)。其CW辐射的效率和调制能力区别于该绿色532nm激光器。这款绿色CW激光器采用紧凑的OEM设计,可轻松集成到终端用户系统中。Jenlas D2.3是久经考验的D2.X系列的扩展。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.3的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。

  • JenLas D2.8: 532nm CW绿色激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 532nm 最大输出功率: 8000mW 运行模式: CW

    Jenlas®D2.8是Jenlas®D2的老大哥。它是一种具有高光束质量的双频二极管泵浦薄片激光器,工作波长为532nm,输出功率为8W。尽管这款连续绿光激光器的额定功率很高,但其紧凑的OEM设计使其易于集成。Jenlas D2.8是久经考验的D2.X系列的延伸。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘式激光器技术,使用薄Nd:YVO4盘式激光器介质,可保证较大的光束质量和稳定性。这些连续绿色激光器采用倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.8的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。

  • JenLas D2.mini: 2/3/5/8W: 532nm CW绿色激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 532nm 最大输出功率: 5000mW 运行模式: CW

    Jenlas D2.mini 2W是久经考验的D2.X系列的延伸。JENLAS®D2。固态激光器基于磁盘激光器技术,已上市多年。高效的JENLAS®D2.mini二极管泵浦固态激光器的波长为532nm,输出功率为2、3、5或8瓦。整个JENLAS®D2。该系列基于成熟的盘状激光技术,使用薄Nd:YVO4盘状激光介质,可为您保证较高的光束质量和稳定性。这些激光器经过倍频,并使用珀尔帖元件进行冷却,从而避免了使用更昂贵的水冷却。Jenlas D2.mini 2W的紧凑设计使其非常容易集成到您现有的系统中。我们还可以为您提供一系列配件,如光纤耦合和控制电子设备,其中许多是专为医疗应用而设计的。Jenlas®D2.mini还提供易于集成的OEM模块选项,包括控制电子设备、电源、散热器和专用接口。

  • Jenlas Fiber ns 105: 100W纳秒光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1085nm 平均输出功率: 100W 脉宽: 220 - 250 ns 光束质量: 1.8 最大脉冲重复率: 200kHz

    Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。

  • Jenlas Fiber ns 25: 20W纳秒光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1085nm 平均输出功率: 20W 脉宽: 200 - 260 ns 光束质量: 1.6 最大脉冲重复率: 80kHz

    Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。

  • Jenlas Fiber ns 35: 30W纳秒光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1085nm 平均输出功率: 30W 脉宽: 200 - 260 ns 光束质量: 1.6 最大脉冲重复率: 80kHz

    Jenlas®光纤NS系列可提供25、35、55和105瓦的功率级别,并基于可靠的、经过行业验证的光纤激光器技术。功能包括125–150纳秒的脉冲持续时间和高达8千瓦的峰值脉冲功率。风冷JENLAS®Fiber NS专为满足OEM集成商的要求而设计,也被各种研究人员和应用专家用作独立激光源。JENLAS®Fiber NS通过24V电源供电,可根据您的集成需求通过软件、硬接线连接或两者的混合进行控制。通过添加标准的内置光学隔离器,激光器的抗背反射能力得到了显著提高。Jenlas®Fiber NS 25-105激光器产品系列为激光材料加工应用提供了丰富的可能性,如贴标、打标、薄膜去除、切割以及确保各种金属和塑料材料的表面结构化。

  • Litron Plasma P-75-100 PIV激光器 激光器模块和系统
    英国
    波长: 532nm 平均值功率: 75W 重复频率: 0 - 200 kHz 脉宽: 10ns 脉冲间稳定性: 1.5%

    等离子PIV系统是一种完全二极管泵浦的双头激光系统,专为PIV应用而设计。它包括两个完全独立的倍频Nd:YAG激光器,它们的光束合并到一个共同的光束轴上。这些激光器在150Hz时产生每脉冲75mJ的532nm输出,在200Hz时产生每脉冲60mJ的532nm输出,脉冲长度约为10ns。脉冲二极管泵浦、超稳定机械、抗损伤光学和创新设计使等离子体PIV系统高度可靠。提供低M2的圆形均匀光束,是高亮度、高均匀性光片成型的理想工具。

  • mcp 微通道板 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Incom Inc.
    有效直径: 20mm 空间分辨率: 20um

    英康的MCP技术采用了与阿贡国家实验室共同开发的专有制造方法,可实现较大的成像面积和完全可定制的几何形状。它将Incom的毛细管阵列(GCA)与通过原子层沉积(ALD)应用于通道的薄膜涂层相结合,使MCP功能化,并允许根据特定应用定制较终操作参数。Incom公司的ALD-GCA-MCP技术与传统的基于氧化铅的MCP技术相比具有显著的优势。

  • Mems可见1XN光开关 光纤光开关
    美国
    分类:光纤光开关
    端口数量: 2 - 5 波长范围: 500 - 800 nm 插入损耗: 1.8dB

    DICON FiberOptics的MEMS光学开关可以定制,以满足特定应用的要求。它们可以针对各种波长进行优化,由客户指定的高达105um纤芯的光纤制成,或以独特的方式进行配置。以下是DICON的MEMS光纤开关的特殊配置示例。请联系DICON FiberOptics,进一步讨论任何特殊应用的具体要求。

  • PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。