-
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 1.5 nS 暗电流: 0.3 to 1 nAMKS|Ophir的FPS-1是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为1.5 ns，暗电流为0.3至1 nA，带宽为233 MHz，响应度/光敏度为0.45 A/W.
-
光电二极管材料: SiliconInfratec的LFP-3144C是一种光学检测器，其波长范围调谐范围：3.1至4.4um，带宽55至70nm，响应度/光敏电压响应度（RMS）：1，000V/W.LFP-3144C的更多细节可以在下面看到。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nAVishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为7 MHz，电容为1260 PF，暗电流为160 uA，响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为4.3 MHz，电容为2090 PF，暗电流为265 uA，响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fFII-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为18 GHz（O/E），电容为80 FF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息，请联系我们。
-
Thorlabs Inc的APD120A2/M是一款光电二极管，波长范围为200至1000 nm，带宽为DC至50 MHz，响应度/光敏度为25 A/W.有关APD120A2/M的更多详细信息，请联系我们。
-
Thorlabs Inc的APD130A2/M是一款光电二极管，波长范围为200至1000 nm，带宽为DC至50 MHz，响应度/光敏度为25 A/W.有关APD130A2/M的更多详细信息，请联系我们。
产品选型就用光电查
个人中心
退出登录