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储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mAFCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。
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有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pFPhotop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。
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有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°CDetector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。
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有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 峰值波长: 632nm(PIN-4X4D), 810nm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 电容: 75pF(PIN-4X4D), 35pF(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D)PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列，具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应，具有快速响应和极低串扰的特点。
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有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series)，又称双色探测器，主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，来测量温度。这些设备适合于光学远程测量，具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用，具有紧凑、密封性好等特点。
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感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。
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储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mAFCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。
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储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mAFCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。
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储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/WFCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。
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有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20VFCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。
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储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/WFCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。
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储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5VFCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。
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功率: +5 V to 30 V (Vdd) 输入传感器: NTC, PTC thermistor 10, 50, 100, 250, 500, 1000, 1500 µA activation current 恒流输出电压: 8V typical maximum value 内部设定点: 软件选择 外部设定点: 0-5 V through 14 pin connector or software definedDLTC 300是一款数字式开关模式温控器，具有高效率和全数字PWM（脉冲宽度调制）控制的特点，适用于激光器、探测器等精密设备，温度稳定性高达0.001°C。
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功率: 单一+5V至30V (Vdd) 输入传感器: NTC, PTC热敏电阻10μA, 100μA, 200μA,1mA激活电流; AD590 1μA/K输出, LTC具有10.0KOhm负载电阻; RTDs 1mA, 10mA激活电流; LM135 10mV/K输出, 1mA激活电流 恒流输出电压: 5V或Vdd-0.5V中的较小者 稳定性: 1小时内0.001°C (使用20K热敏电阻) 输出: 双向电流+/-10A +/-5A +/-2.5ARedWave Labs的LTC系列线性温度控制器有三个版本：LTC25、LTC50和LTC100，分别具有2.5A、5A和10A的最大电流能力，单电源操作(+5至30V)和温度稳定性高达0.001K。所有型号都具有可变的最大电流限制器，多种传感器能力（热敏电阻、RTDs、AD590、LM335），可变的P-I设置，LED监视器和远程关闭功能，适用于激光、探测器、精密仪器等OEM应用，具备高精度温度稳定性和灵活的传感器支持。
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量子效率: 70% 量子效率: 55% 功率: 单一+12V 波长: 400-1100nm 光电二极管击穿电压: 125V@25CRedwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块，内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域（约650nm）有很高的探测效率，并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ，可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。
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直流偏置电压: 500mV 温度稳定指示: T LOCK LEDQubeDT-F Fast Balanced Photodetector是一款高性能的光电探测器，专为激光器光强和光束质量精确测量而设计。QubeDT-F可快速差分平衡光电探测器，用于精确测量激光器的光强和光束质量。
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波长: μm 探测器型号: PVI-4TE-5 光学面积: 1 x 1 mm 窗口: sapphire wedged wAlO2 3 带宽: DC-250 kHzQubeDT-F快速平衡光电探测器，专为快速光电探测和信号噪声抑制而设计，提供优异的信噪比增强。QubeDT-F快速平衡光电探测器是一款预备产品，具备高速的AC通道带宽和嵌入式光学平衡检测技术。
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操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/HzAA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB)，内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。
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输出功率设定点: 1310nm设备18mW，C-band设备10mW 中心波长: 1310nm设备, 25°C λ-10λλ+10nm，C-band设备, 25°C λ-1λλ+1nm 光输出功率波动: 65-100PPM 长期功率波动: 0.1-0.2% 温度依赖功率漂移: 0.35%EM655是基于精确的DFB激光技术的高性能单频模块。这个RF发射器集成了高带宽光纤耦合DFB激光器，超低噪声激光电流源和温度控制器，还包括光隔离器和背面监测探测器读出放大器。适用于RF链接、CATV、激光器和感测等应用场景。
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输出功率设定点: 1310 nm设备18mW, C-band设备10mW 中心波长: 1310 nm设备λOP-10至λOP+10 nm, C-band设备λOP-1至λOP+1 nm 光输出功率波动: 65至100 PPM 长期功率波动: 0.1至0.2% 温度相关功率漂移: 0.35%/°CCWDM INTEGRATED RF TRANSMITTER EM657是一款高带宽直接调制DFB激光模块，适用于射频链路、CATV、激光器和传感等应用。高带宽直接调制DFB激光模块，集成了高带宽光纤耦合DFB激光器、超低噪声激光电流源和温度控制器，还包含光隔离器和背面监控探测器读出放大器。
产品选型就用光电查
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