Thorlabs的FPV976P是一款单频、波长稳定的激光二极管，工作波长为976nm.它基于量子阱外延层生长和具有外部体全息光栅（VHG）反馈的高度可靠的脊波导结构。这款单频激光二极管采用蝶形封装，内置光隔离器、监控二极管、TEC和热敏电阻，可对激光器进行温度控制。该激光二极管在大约15至30mW的工作功率范围内产生具有单频窄线宽的波长稳定光谱。输出耦合到1.0米的FC/APC端接的PM980-XP光纤。

Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管，工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW，斜率效率为0.46W/A，垂直发散角（FWHM）为13.5°，横向发散角（FWHM）为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V，阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术，具有脊形波导结构。激光二极管采用Ø9 mm TO-CAN封装。

II-VI CM96A1060CWG 波长稳定的高功率单模激光二极管模块包含G08型弯曲波导（CWG）1060 nm激光二极管。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许非常高的输出功率，并且随时间和温度稳定。泵模块采用保持偏振的光纤尾纤和光纤布拉格光栅设计，以增强波长和功率稳定性性能。器件可实现1W的高无扭结输出功率。

AL50系列是激光行业中最高功率的真圆柱波导RF激发密封CO激光器，广泛应用于半导体制造、科学实验和高性能材料加工，还适用于最苛刻的应用。

Incom的NanoGuide™面板是迄今为止分辨率较高的图像引导产品。它们以高均匀性、真实色彩保真度和较小失真将没有像素化的图像从输入表面传输到输出表面。NanoGuide允许较高分辨率的应用利用低重量的基于聚合物的成像光学器件。它的纳米结构基于波导原理，但不像光纤那样利用全内反射。虽然图像传输功能相同，但NanoGuide能够提供更高的分辨率，为以前设想但现在实现的应用创造了新的可能性。

Optilab MIOC-1550-18-BC 是用于光纤陀螺仪（FOG）的光学芯片，该集成光学芯片（IOC）设备由偏振器、Y型耦合器和双电光相位调制器组成，基于铌酸锂（LiNbO3），采用退火质子交换（APE）光波导制造。广泛应用于旋转速率传感和惯性导航系统。

VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。

V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。

VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。

V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。

VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。