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分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: Rolling Shutter (RS) 量子效率: Up to 95%pco.edge 4.2 bi UV是一款背照式冷却sCMOS相机，具备高量子效率、低光模式和光片扫描模式，适用于低光照条件下的成像。
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击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μmExcelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/WPCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/WPC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。
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功率: +5 V to 30 V (Vdd) 输入传感器: NTC, PTC thermistor 10, 50, 100, 250, 500, 1000, 1500 µA activation current 恒流输出电压: 8V typical maximum value 内部设定点: 软件选择 外部设定点: 0-5 V through 14 pin connector or software definedDLTC 300是一款数字式开关模式温控器，具有高效率和全数字PWM（脉冲宽度调制）控制的特点，适用于激光器、探测器等精密设备，温度稳定性高达0.001°C。
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操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/HzAA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB)，内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。
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波长可用性: < 4 to > 11 µm MHF调谐范围: ≥ 30 - 100 cm-1 连续波功率: > 70 mW typical 线宽（FWHM）: < 5 MHz (100 ms) and < 10 MHz (1s) 波长精度: ± 0.5 cm-1 (± 15 GHz), unidirectionalCW-MHF™中红外激光器为高分辨率光谱学提供超过30 cm-1的模式跳跃调谐能力和高稳定性激光腔设计。CW-MHF™ 中红外激光器是高分辨率中红外光谱学的终极工具。如果您需要高光谱分辨率，连续相位调谐以避免跳过光谱线，或者两者兼备，DRS Daylight CW-Mode-Hop-Free（MHF）激光器将满足您的需求。
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最大光输入功率: 300mW 光纤弯曲半径: 20mm 工作波长: 1520至1625nm 工作温度范围: 10至35°C 插入损耗: 2.0至4.0dBPolarization Division Multiplexing Emulator (PDME)是一种设备，用于控制两个偏振之间的延迟。该设备可以模拟偏振分复用（PDM）信号，通过发射具有给定调制格式的偏振信号。例如，如果在输入端发射QPSK，则在输出端将模拟PDM-QPSK。PDME还可用于模拟偏振模式色散（PMD）。PDME提供多种选项，例如开/关开关、可变光衰减器、可变光延迟线或长自由空间延迟。
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波长: 1560 波长调谐范围: 1 激光输出功率调谐: 1 to 40 输出功率稳定性: < 1 线宽: < 0.1Exail的LAZ-LAB-NL-1560是一款狭窄线宽单频纤维激光器，适用于传感、相干激光雷达和光谱学等应用。狭窄线宽单频纤维激光器，基于紫外布拉格光栅技术应用于活性稀土光敏纤维。超短腔长度和相移设计允许超狭窄线宽和稳定的无模式跳变激光源属性。
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信号波长: 1550 ± 0.5 泵浦波长: 980 激光阈值: < 10 激光功率: > 1 极化消光比: > 20IXC-CLFO-HP-1550是Exail推出基于UV Bragg光栅技术，应用于活性稀土光敏纤维的单频率分布反馈光纤激光器。超短腔长和相移设计实现超窄线宽和稳定无模式跳跃的激光源特性，适用于声学传感、光谱学等应用，非常适合各种传感器。
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信号波长: 1550 ± 0.5 泵浦波长: 1480 激光阈值: < 10 激光功率: > 10 极化消光比: > 20IXC-CLFO-LN-1550是Exail推出基于UV布拉格光栅技术应用于活性稀土感光纤维的单频率分布反馈光纤激光器。超短腔长和相移设计使得激光器具有超窄线宽和稳定的无模式跳变特性，适用于声学传感、干涉测量等应用，非常适合各种传感。
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芯径: 5 ± 0.3/10 ± 0.6/10.5 ± 0.5 µm 包层直径: 125 ± 2/225 ± 5/126 ± 3 µm 包层非圆度: < 2/< 7.5 % 镀膜直径: 245 ± 10/355± 10/248 ± 5 µm 纯硅芯材料: Silica/UV grade silicaIXF-ESM系列是微结构光子晶体纤维，展现出无限单模行为，不会表现出高阶模式截止。这使它们非常适合在可见光和近红外波长范围内提供出色的宽带模式传输，包括标准和PM版本，可用于成像或光谱学应用。
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