高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达9 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达25 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器。

高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达35 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。

高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达10 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。

高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）中发射高达60 W的功率。裸光纤输出。兼容Option-6（高功率SMA连接器）和Option-7：高功率准直器（见下文）。

在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达100 W的功率。裸光纤输出。

在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW，830±1 nm多模105/125µm光纤输出，具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3（3 mm准直器）兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅（VBG）实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出（可按需提供SMA）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出（FC/PC按需提供）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

多模 850nm VCSEL 数据传输速率高达 10Gbps 高可靠性 VCSEL 可选柔性或引线型 可提供差分、阴极、阳极驱动 完全隔离 /VCSEL、m-PD、外壳 无衰减涂层 提供 LC/SC 型外壳

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

D30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。

T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。