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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-FR的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-P的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2100 nm 上升时间: 150 ps 暗电流: 90 nA来自AlphaLas的UPD-3N-Ir2-P是波长范围为800至2100nm、上升时间为150ps、暗电流为90nA、带宽为0.4GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-3N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学探测器。有关UPD-40-IR2-D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-Ir2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学探测器。有关UPD-40-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 500 to 1690 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 5000 nA来自AlphaLas的UPD-40-VSI-P是波长范围为500至1690nm、上升时间为40ps、暗电流为5000nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-40-VSI-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。UPD-70-IR2-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nAAlphaLas公司的UPD-70-IR2-P是一种光学探测器，波长范围为800~1700nm，上升时间为70ps，暗电流为0.8nA，带宽为5GHz，有源区直径为0.005mm.UPD-70-IR2-P的更多详情见下文。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/WFreedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为30至35 GHz，响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/WFreedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为60至65 GHz，响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/WFreedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器，波长范围为850 nm，暗电流为50 pA，带宽为2至3 GHz，响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W，有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息，请联系我们。
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封装类型: TO-5 输入功率: 5W/cm2 储存温度: -55-125 Degree C 带宽: 100-1000000 nm 工作温度显示: -55-125 Degree C型号420M7由单个钽酸锂传感元件组成，密封在TO - 5型晶体管外壳中，并带有光学滤波器(可选)。 采用一种特殊的元件安装技术对传感元件进行散热，允许其在高功率水平下进行检测。 在低负载（50Ω）的情况下，快速脉冲分辨率是可实现的。采用ELTEC Model320阻抗变换器等高阻抗变换器可实现集成模式。
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击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。
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