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  • C30665GH-LC 光电二极管
    C30665GH-LC
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Excelitas Technologies
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • QSPDI-28 光电二极管
    QSPDI-28
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：QPhotonics
    波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W

    来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-Q1000 光电二极管
    FCI-InGaAs-Q1000
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-Q3000 光电二极管
    FCI-InGaAs-Q3000
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。

  • QD50-0 光电二极管
    QD50-0
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 pF 暗电流: 15 to 30 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的QD50-0是波长范围为900 nm、电容为125 PF、暗电流为15至30 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD50-0的更多详细信息，请联系我们。

  • QD7-0 光电二极管
    QD7-0
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-005DQ 光电二极管
    UV-005DQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-005DQC 光电二极管
    UV-005DQC
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-005EQ 光电二极管
    UV-005EQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-005EQC 光电二极管
    UV-005EQC
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-013DQ 光电二极管
    UV-013DQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为150 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-013EQ 光电二极管
    UV-013EQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为280 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管
    UV-035DQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-035DQC 光电二极管
    UV-035DQC
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    UV-035EQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为2µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    UV-100DQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    UV-100EQ
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为7µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息，请联系我们。

  • IQ800L 光电二极管
    IQ800L
    奥地利
    分类：光电二极管
    厂商：Roithner Lasertechnik
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    Roithner Lasertechnik的IQ800L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ800L的更多详细信息，请联系我们。

  • IQ801L 光电二极管
    IQ801L
    奥地利
    分类：光电二极管
    厂商：Roithner Lasertechnik
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    Roithner Lasertechnik的IQ801L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ801L的更多详细信息，请联系我们。

  • IQ802L 光电二极管
    IQ802L
    奥地利
    分类：光电二极管
    厂商：Roithner Lasertechnik
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    Roithner Lasertechnik的IQ802L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ802L的更多详细信息，请联系我们。