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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为150 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为280 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为2µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为7µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: YesRoithner Lasertechnik的IQ800L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ800L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes
Roithner Lasertechnik的IQ801L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ801L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes
Roithner Lasertechnik的IQ802L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ802L的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: YesLaserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块，工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW，响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V，暗电流为1 nA.它配有单模光纤，可提供-45 dB的低背反射，是高速光通信系统的理想选择。
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光纤模式: Singlemode 光纤类型: HI1060 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser来自Qphotonics的QSDM-1020-2是中心波长为1014nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达1.5 MW的输出功率，并具有宽度为30 nm（FWHM）的低波纹光谱。该SLD具有高达2.5 V的正向电压和小于300 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。
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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Lasers来自Qphotonics的QSDM-1050-2是一种超辐射发光二极管，波长为1040至1060 nm，输出功率为1至2 MW，带宽（FWHM）为30至35 nm（光谱宽度），工作电流为133 mA，正向电压为2至2.5 V.QSDM-1050-2的更多详细信息见下文。
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类型: Free Space SLED 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser PD监测器电流: 0.07 1.53 mA来自Qphotonics的QSDM-1050-9是一种超辐射发光二极管，波长为1040至1060 nm，输出功率为9至12 MW，带宽（FWHM）为33.44至35 nm（光谱宽度），工作电流为158 mA，正向电压为1.5至2.5 V.
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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser来自Qphotonics的QSDM-1060-10D是一种超辐射发光二极管，其波长为1040至1070 nm，输出功率为8至10 MW，带宽（FWHM）为60至70 nm（光谱宽度），工作电流为219 mA，正向电压为2至2.2 V.
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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser来自Qphotonics的QSDM-1280-1WB是一种超辐射发光二极管，其波长为1250至1330 nm，输出功率为0.75至1 MW，带宽（FWHM）为50至70 nm（光谱宽度），工作电流为146 mA，正向电压为1.8至2.2 V.
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光纤模式: Singlemode 光纤类型: SMF-28 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser来自Qphotonics的QSDM-1300-1是一种超辐射发光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为0.2 MW，带宽（FWHM）为25至30 nm（光谱宽度），工作电流为89 mA，正向电压为1.2至1.6 V.
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