IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5490SE-C-HQ Rev.2是一款科学和工业相机，帧速率为6.1至6 FPS.有关UI-5490SE-C-HQ Rev.2的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5550RE-C-HQ Poe Rev.2是一款科学和工业相机，帧速率为23.8至23.5 FPS.有关UI-5550RE-C-HQ Poe Rev.2的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5550SE-C-HQ Rev.2是一款科学和工业相机，帧速率为23.8至23.5 FPS.有关UI-5550SE-C-HQ Rev.2的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5580CP-C-HQ是一款科学和工业相机，帧速率为14.1至14.1 FPS.有关UI-5580CP-C-HQ的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5580RE-C-HQ Poe Rev.2是一款科学和工业相机，帧速率为14.1至14.1 FPS.有关UI-5580RE-C-HQ Poe Rev.2的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5580SE-C-HQ是一款科学和工业相机，帧速率为14.1至14.1 FPS.有关UI-5580SE-C-HQ的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5584LE-C-HQ是一款科学和工业相机，帧速率为14.1至14.1 FPS.有关UI-5584LE-C-HQ的更多详细信息，请联系我们。

IDS Imaging Development Systems GmbH的UI-5640SE-C-HQ Rev.2是一款科学和工业相机，帧速率为25至24.9 FPS.有关UI-5640SE-C-HQ Rev.2的更多详细信息，请联系我们。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的QD50-0是波长范围为900 nm、电容为125 PF、暗电流为15至30 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD50-0的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息，请联系我们。