• PV-2TE series 红外光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: PV-2TE-3 PV-2TE-3.4 PV-2TE-4 PV-2TE-5 PV-2TE-6 PV-2TE-8 PV-2TE-10.6 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 8.0 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×10^11 ≥6.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥1.5×10^10 ≥5.0×10^9 ≥4.0×10^8 ≥2.0×10^8 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥7.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥3.0×10^10 ≥9.0×10^9 ≥2.0×10^9 ≥2.0×10^8 ≥1.0×10^8

    PV-2TE系列具有两级热电冷却红外光伏探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,提供最佳性能和稳定性。设备针对最大性能进行了优化,λopt可根据需求优化。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围,在高频下性能更佳,但在低频下可能会因1/f噪声降低性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µm

    PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器,具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口(wZnSeAR)的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测,建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉,并符合RoHS指令。

  • PC-3TE series 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007

    PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PC series 光导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W

    PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

  • PVI-5-1×1-TO39-NW-36 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm

    PVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜,以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围,还可以提高高频性能,但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

  • AM03120-01 非制冷红外检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

    AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块,封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗(wZnSeAR),防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供(仅带探测器元件的PCB板),安装在TO8子安装架上,或安装并密封在带窗的TO8封装中。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mA

    FCI-H125G-010是一款针对短波长(850nm)高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器,并包括一个高增益跨阻放大器,用于产生差分输出电压,以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器,适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • Photop™系列光电二极管放大器混合器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

    Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围,集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器,特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽,适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • UV增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

    OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列:反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

  • 紫外线增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

    OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列:反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CMX 高性能980纳米泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 150-550mW 无故障功率: 290-620mW 正向电流: 640-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMX是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面质量认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块具有小型封装,密封良好,并集成了热电制冷器、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管。1999CMX是3SP Technologies推出的高性能980纳米泵浦模块,适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器。

  • 1999CHX 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    1999CHX是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司自主芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。这款小型化、密封的激光模块,最高可提供680mW的操作功率,适用于高输出功率低噪声EDFAs、密集波分复用EDFAs和CATV。

  • 1999CVX 980 nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700 - 950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom - mW 正向电流: 80 - 1575mA 正向电压@950mW: 2V

    3SP Technologies的1999CVX是一款980 nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率低噪声掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器等应用。980 nm冷却泵浦激光模块,提供高达950mW的操作功率,具有小型封装、无突跳功率和高波长及功率稳定性。

  • 1999SHB 980nm高功率泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 350-540mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 880-1010mA 前向电压@600mW: 1.9V

    1999SHB是一款新一代的980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司自有芯片技术提供卓越的性能和可靠性。该模块具有低功耗、高波长和功率稳定性,满足Telcordia GR-468 CORE标准,适用于高功率低噪声掺铒光纤放大器、密集波分复用和CATV系统。