• GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • GUVC-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-S10SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-S12SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管,波长范围为345至450 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-T12GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管,波长范围为330至445 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-S11SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管,波长范围为295至490 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-T10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管,波长范围为300至510 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息,请联系我们。

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • SLD-840-14BF-2 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-2是一种超发光二极管,在840nm下工作时可提供2mW的输出功率。该二极管采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/APC连接器连接。它是光纤传输系统、光纤陀螺仪、光纤传感器、光学相干层析成像、光学测量的理想光源。

  • SLD-840-14BF-5 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-5是中心波长为820nm的超发光二极管。它提供5mW的连续/脉冲输出功率,光谱宽度为20-30nm.该SLD具有内部监控光电二极管(PD)和热电冷却器(TEC)。它的热阻为10千欧姆,最小消光比为17分贝。该SLD的最大正向电压为2.5 V,最大正向电流为300 mA.它采用14引脚标准蝶形封装,尺寸为44 X 30 X 10.5 mm,具有Ø0.9 mm SM/PM光纤。该SLD是光纤陀螺仪的理想选择,可作为光纤传输系统、光纤传感器、光学相干层析成像和光学测量应用的光源。

  • MAX3275 跨阻放大器
    美国
    分类:跨阻放大器
    厂商:Maxim Integrated
    应用: Dual-Rate Fibre Channel Optical Receivers, Gigabit Ethernet Optical Receivers 电源电流: 25 mA 数据速率: 1.062 to 2.125 Gbps 跨阻抗: 2.8 to 3.8 kOhms 电源电压: -0.5 to 4 V

    Maxim Integrated的MAX3275是一款跨阻放大器,可在光纤通道应用中提供高达2.125 Gbps(NRZ)的数据速率。它具有高达2.7 GHz的小信号带宽,折合到输入端的噪声为300毫安。该放大器的交流输入过载为2 MAP-P,滤波器电阻为600Ω。它需要3.3 V的直流电源,功耗为83 MW.该放大器采用尺寸为24 X 47 mm的裸片封装,非常适合光功率关系、光灵敏度计算、输入光学过载、光学线性范围、布局考虑、光电二极管滤波器、线焊、双速率光纤通道光接收器和千兆以太网光接收器应用。

  • FL500 半导体激光器驱动器
    输出电流: 500mA

    FL500是驱动低功率激光二极管的理想选择,因为低噪音是至关重要的。低漏电流(150微安)使其成为驱动大多数VCSEL的理想选择。它的工作电压为3至12V,因此它与Li+电池操作兼容。它可以被配置为两个完全独立的250 mA驱动器或一个500 mA驱动器。与A型或B型激光二极管兼容。由于它的体积小、噪音低,它经常被用于手持设备和光谱系统。 基本单元在恒定电流(CC)模式下工作。唯一需要的外部元件是一个电源、一个模拟控制电压、你的激光器和可选的过滤电路。 对于其他功能,包括恒定功率操作的电流限制和光电二极管反馈,请使用带有控制器的FL591FL评估板。

  • 10 GHz高功率光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:APIC Corporation
    波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

    这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管,针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连,以及恶劣环境下的微波光子学应用。

  • 20 GHz高功率、高线性光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:APIC Corporation
    波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz

    20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计,提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管(PD),针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化,适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

  • 40 GHz高功率高线性光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:APIC Corporation
    波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHz

    APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管(PD),针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化,以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。

  • AL-Pxx-WLxx-165-1-FC 高性能模拟DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:APIC Corporation
    操作波长: 1530-1565nm 光输出功率: 40-120mW 激光阈值电流: 14-25mA 最大工作电流: 600mA 正向电压: 2.5V

    AL-Pxx-WLxx-165-1-FC是APIC公司的一款低相对强度噪声模拟DFB激光器,适用于宽带射频光纤链路、DWDM网络、传感应用以及OEM光通信。这是一款超低噪声、高功率的DFB激光器,采用专有外延设计,优化以消除松弛振荡并抑制噪声。该激光器在标称工作电流下工作时,相对强度噪声(RIN)不可测量,且处于散粒噪声极限。除了连续波(CW)操作外,该激光器还可直接调制RF频率至1 GHz。它在标准的14针蝶形封装内部密封,并带有内置热电制冷器(TEC)和光电二极管用于功率监控。

  • CWL-Pxx-WLxx-168-1-FC 超低噪声、高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:APIC Corporation
    工作温度: -20°C - 75°C 储存温度: -40°C - 85°C 激光正向电流: 600mA 激光最大前向电压: 2.5V 光电二极管反向电压: 10V

    APIC Corporation的CWL-Pxx-WLxx-168-1-FC是一款超低噪声、高功率DFB激光器,适用于宽带RF光纤链路、无线网络和高精度传感应用。这款超低噪声、高功率DFB激光器采用专有的外延设计,优化以消除松弛振荡。在其名义工作电流下工作时,激光器不会产生可测量的RIN,并且在散粒噪声极限下运行。它被密封在一个标准的14针蝴蝶封装中,内置有热电制冷器(TEC)和光电二极管用于功率监测。激光器可以提供客户选择的DWDM ITU波长。

  • 高性能密集波分复用(DWDM)激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:APIC Corporation
    工作箱体温度: -40°C至75°C 储存温度: -40°C至85°C 激光正向电流: 200mA 激光器正向电压: 2V 光电二极管反向电压: 5.5V

    APIC公司的Highly Linear, Direct Modulated DFB Laser Module是一款高性能模拟调制DWDM激光器,适用于高达6GHz的RF光纤链接,无线网络以及各种光通信应用。这是一款用于模拟调制应用的密集波分复用(DWDM)激光器,采用基于专有外延和结构的分布反馈(DFB)设计,以消除松弛振荡,适用于高性能模拟应用。激光器出色的线性度和操作特性最大程度减少了传输的RF信号退化。它被密封在标准的14针蝶形封装中,并带有内置的热电制冷器(TEC)和光电二极管,用于功率监控。激光器可提供客户选择的ITU波长,用于DWDM。