• A5C-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-35是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。

  • A5C-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息,请联系我们。

  • A5V-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。

  • A5V-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为340 PF,响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为1000 MHz,电容为1.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为900 MHz,电容为3 PF,暗电流为0.1至1 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为600 MHz,电容为6 PF,暗电流为0.2至2 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-TO5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息,请联系我们。

  • CD-1705 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CD-1705是波长范围为850nm、电容为70pF、响应度/光敏度为0.55至0.60A/W、上升时间为2000ns的光电二极管。有关CD-1705的更多详细信息,请联系我们。

  • CD-25T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 20 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CD-25T是波长范围为970nm、电容为50pF、暗电流为20nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为18ns的光电二极管。有关CD-25T的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-10 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 30 pF 暗电流: 500 to 600 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-10是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为175至30 PF,暗电流为500至600 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.025µs.有关DL-10的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-10C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 375 pF 暗电流: 500 to 5000 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-10C是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为175至375 PF,暗电流为500至5000 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.2µs.有关DL-10C的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10 to 14 pF 暗电流: 30 to 175 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-2是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为10至14 PF,暗电流为30至175 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.025µs.下面可以看到DL-2的更多详细信息。

  • DL-20 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 14 pF 暗电流: 2000 to 175 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-20是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为600至14 PF,暗电流为2000至175 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.025µs.有关DL-20的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-20C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 1500 pF 暗电流: 2000 to 12000 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-20C是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为600至1500 PF,暗电流为2000至12000 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为1µs.有关DL-20C的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 60 pF 暗电流: 50 to 1000 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-4是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为35至60 PF,暗电流为50至1000 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.08µs.下面可以看到DL-4的更多详细信息。

  • DLS-10 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 暗电流: 50 to 400 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DLS-10是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为160至200 PF,暗电流为50至400 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.2µs.有关DLS-10的更多详细信息,请联系我们。

  • DLS-2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DLS-2是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为8至40 PF,暗电流为10至300 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息,请联系我们。

  • DLS-20 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 暗电流: 100 to 1000 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DLS-20是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为580至725 PF,暗电流为100至1000 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为1µs.有关DLS-20的更多详细信息,请联系我们。