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传感器类型: Microbolometer 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 2000 - 16000 nm # 像素(宽度): 640 # 像素(高度): 480
WinCAMD-IR-BB激光光束轮廓仪是一种用于中波红外和远红外范围激光的成像解决方案。WinCAMD-IR-BB光束轮廓仪具有17µm像素、2-16µm波长范围和集成快门,可提供无与伦比的光束轮廓能力。WinCAMD-IR-BB的信噪比超过1000:1,可进行符合ISO11146标准的光束测量。基于微测辐射热计的相机具有非常高的灵敏度,集成的快门允许全自动非均匀性校正。WinCAMD-IR-BB激光束剖面仪由Dataray的全功能、高度可定制、以用户为中心的软件提供支持,该软件无许可费、无限制安装和免费软件更新。该软件支持使用我们的M2DU阶段进行M^2测量。对于更高功率的激光器,Dataray提供了一系列采样、吸收和反射衰减器,用于超过相机较大功率的光束。功率限制。
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传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 355 - 1150 nm # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048
Dataray WinCAMD-LCM CMOS激光束分析仪提供USB 3.0传输速率和高分辨率1英寸。探测器适用于从OEM集成到R&D的各种应用。这款光束轮廓仪可在190至1605 nm范围内使用,在2048×2048有效面积内提供5.5µm像素,更新速率高达60 Hz,并具有光学/TTL(晶体管-晶体管逻辑)触发器。CMOS探测器消除了彗星拖尾,全局快门和触发使能脉冲捕获。USB 3.0接口配有专有的可定制软件。该激光束剖面仪的应用包括CW和脉冲激光剖面仪、激光系统的现场维修、光学组件、仪器校准、光束漂移和记录、质量控制以及使用可用的200 mm平移台进行m²测量。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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焦距: 76-76.2mm 波长范围: 210-1040nm 波长准确度: ±0.35nm 探测器量子效率: 10-20% (110-400nm), 15-42% (400-930nm), 3-15% (930-1050nm) 决议: 0.13-0.27nm (3600 grating at 25 mic f3.2)
VS7550是一款小型Czerny-Turner光谱仪,具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率,并且可以软件控制狭缝大小、输入f#、阶次分选滤光片、光栅角度和暗曝光。适用于VUV操作,拥有UHV窗口和层流净化系统,可在窗口短波长截止(MgF2为112nm)下运行。光谱仪体积小巧,可手持,并能在5米电缆末端任意方向全面运行。
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焦距: 152.4mm 有效光栅范围: 1200g/mm(110 to 950nm), 2880g/mm(110 to 340nm) 波长分辨率: 0.25nm at 1200g/mm, 0.9nm at 2880g/mm 软件可选狭缝尺寸: 25, 50, 100, 200, 400 microns 软件可选暗快门: Yes
VS150CT是一款紧凑型Czerny-Turner光谱仪,具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率,可通过软件控制狭缝尺寸、输入f#、阶梯滤波器、光栅角度和暗场曝光。该光谱仪具备UHV窗口和层流净化系统,可实现到窗口短波长截止(对于MgF2为112nm)的VUV操作。光谱仪采用可互换的光栅,并可与UHV腔室接口或在长达5米的电缆末端任意方向的台式操作。
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波长选项: 190-1150nm, 650-1800nm, 190-1800nm, 190-2500nm 扫描光束直径: 2µm to 4mm (2mm for IGA-X.X) X-Y轮廓和质心: Yes 分辨率: 0.1µm or 0.05% of scan range 准确性: ±<2% or ≤0.5µm
BeamMap2是一种用于实时光束轮廓测量的扫描狭缝系统,它采用旋转的'puck'上的多个XY狭缝对,在多个z平面上同时测量四个不同z位置的四个光束轮廓。BeamMap2的独特、专利设计特别适用于实时测量焦点位置、M2、光束发散和指向。适用于激光束对准、M2测量和光束发散诊断等多种应用场景。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W
PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 3.0µm, 3.4µm, 4.0µm, 5.0µm, 6.0µm, 8.0µm, 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/W
PV-3TE系列特征为基于复杂HgCdTe异质结构的三阶段热电冷却红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以获得最大性能。可根据要求优化截止波长。反向偏压可能显著提高响应速度和动态范围。它还可以改善高频性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥3.0×1011, ≥2.0×1011, ≥1.0×1011, ≥4.0×1010, ≥9.0×109, ≥5.0×108, ≥4.0×108 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥1.5×1011, ≥1.0×1011, ≥6.0×1010, ≥1.5×1010, ≥5.0×109, ≥4.0×108, ≥2.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0, ≥1.3, ≥1.5, ≥1.5, ≥0.5
PV-4TE 系列产品具有四级热电冷却红外光伏探测器,基于复杂的 HgCdTe 异质结构,旨在提供最佳性能和稳定性。这些设备针对 λopt 达到最大性能进行了优化。切入波长可以根据需求进行优化。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围。它还提高了高频性能,但在有偏压的设备中出现的 1/f 噪声可能会降低低频性能。3° 楔形蓝宝石 (wAl2O3) 或锌硒化物抗反射镀膜 (wZnSeAR) 窗口可防止不必要的干扰效应。