• MPD-4-240 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
  • MPD240L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的MPD240L是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm.有关MPD240L的更多详细信息,请联系我们。

  • USBL-705-35-R-G55B1红色激光器模块 激光器模块和系统
    波长: 705 nm 最大输出功率: 35 mW 运行模式: CW, Modulated

    在考虑购买红色二极管激光模块时,Power Technology Inc.提供多种产品系列可供选择。自1969年以来,我们的红色激光模块已为干涉测量、全息术、机器视觉、共焦荧光显微镜、流式细胞术、DNA测序、计量学、光遗传学、PDT、牙科、指点、激光雷达以及更多应用提供了精密光源。我们的红色激光选择包括高精度模块,具有PID温度控制回路,可调焦距,数字或模拟输出,等等。想要了解更多关于哪些红色激光模块最适合您即将推出的应用或项目?让激光专家来处理繁重的工作。我们的典型红光波长为633nm、635nm、639nm、650nm、655nm、658nm、660nm、670nm、685nm、690nm和705nm.USB-L通过USB接口供电和控制。宽波长范围的模块可用于圆形或椭圆形光束形状配置。通过USB Micro Type B连接,USB-L设计用于现代USB 2.0连接(或更高标准)。使用传统USB 1.0连接的操作员可能会看到绿色、蓝色和紫色激光器的有限输出。所有型号均提供稳定的电源,并提供自定义图形用户界面来控制电源级别和开/关状态。

  • PM85-F1P1N-xx 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 12mA

    带 m-PD 的 1.25/2.5Gbps 850nm VCSEL TO-46 罐封装

  • TP85-LCP1HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 10mA

    多模 850nm VCSEL 数据传输速率高达 10Gbps 高可靠性 VCSEL 可选柔性或引线型 可提供差分、阴极、阳极驱动 完全隔离 /VCSEL、m-PD、外壳 无衰减涂层 提供 LC/SC 型外壳

  • SP85-4N001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    1.25/2.5Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • SP85-2D001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    6Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • SP85-1AH001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 PIN-PD 芯片

  • AP85-2M104/112 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列

  • AP85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 1x4 PIN-PD 阵列芯片

  • PP85-B1T3N 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 0-4 V

    2.5Gbps GaAs PIN PD TO-46 封装,带前置放大器

  • RP85-LCT2HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C

    带前置放大器的 10Gbps GaAs PIN PD LC-ROSA

  • C30902SH Series(系列) 雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

    Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD,能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式(Vop > VBD)以检测单光子,或者在Linear模式(Vop < VBD)下工作,增益可达250。

  • C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nA

    C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器,适用于高精度光学测量。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD,专为各种宽带低光级应用而设计,涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器,封装在同一密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30659 Series(系列)带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管(APD)与混合前置放大器,在同一个密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs)适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用,提供500nm至1000nm范围内的高响应度。