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Laser Components的IG26X500S4I是一款光学探测器，截止波长范围为2.45µm，暗电流为4至25 nA，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.7至1.36 A/W，有效面积直径为500µm.有关IG26X500S4i的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/WLaser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管，标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器，有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W，是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻，并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装，非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1.87 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pFLaser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度，并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装，是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻，在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。
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模块: No 工作模式: Photovoltaic, Photoconductive 暗电流: 17 mA 响应度/光敏度: 1 A/WLED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管，可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm，最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA，光敏度为1 A/W，截止波长（10%水平）为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装，具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。
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光纤类型: HI1060, PM980 数值孔径: 0.14, 0.12 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser RoHS: YesInnolume的SLD-1080-30-YY-100是一款光纤耦合超辐射发光二极管，工作波长为1080 nm.它提供超过100mW的连续波输出功率，具有0.03dB的低ASE频谱纹波和-3dB时30nm的带宽。该超发光二极管具有0.15ns的上升时间和0.5ns的下降时间。它有一个内部TEC，需要4 V直流电源，功耗为3 A.SLD-1080-30-YY-100采用HI1060和PM980型光纤，数值孔径分别为0.14和0.12，模场直径分别为6.2±0.3µm和6.6±0.3µm，线偏振较强，偏振消光比为20 dB.它们的长度为1.0±0.1m，光纤弯曲半径大于3cm.这些光纤的涂层直径为245±15µm，包层直径为125±1µm.HI1060和PM980光纤的截止波长分别为920±50 nm和900±70 nm.SLD-1080-30-YY-100符合RoHS规范，使用窄键FC/APC连接器。它需要1.7 V的直流电源，功耗为800 mA.这款超发光二极管采用14引脚蝶形封装，尺寸为30 X 39 X 8.1 mm，非常适合光纤传感器、仪器仪表和光谱应用。
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单色仪类型: Czerny-Turner 有效焦距: 46mm 衍射光栅: 4200lines/mm 光谱范围: 185 - 1100 nm 光谱分辨率: 0.2nmVS7550是一款微型Czerny-Turner光谱仪，具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率，可通过软件控制狭缝尺寸、输入F#、排序滤波器、光栅角和暗曝光。紫外光谱仪的光谱范围从185 nm的空气短波截止波长到1100 nm的探测器红外截止波长。光谱仪足够小，可以拿在手里，并且可以在5米电缆末端的任何方向上完全操作。附件包括内置光谱校准灯、多光谱场平面光源、光纤适配器和背面薄型探测器
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/WPCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/WPC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备经过优化，在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围，并在高频下提高性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 3.0µm, 3.4µm, 4.0µm, 5.0µm, 6.0µm, 8.0µm, 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/WPV-3TE系列特征为基于复杂HgCdTe异质结构的三阶段热电冷却红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以获得最大性能。可根据要求优化截止波长。反向偏压可能显著提高响应速度和动态范围。它还可以改善高频性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石（wAl2O3）或锌硒化物抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0-6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥5.0×1010, ≥3.0×1010, ≥1.5×1010, ≥8.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥4.5×1010, ≥2.0×1010, ≥9.0×109, ≥4.0×109 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0PVI series特征为非制冷红外光伏探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器针对λopt的最大性能进行了优化。可以根据要求优化截止波长。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围，也提高高频性能，但偏置设备中的1/f噪声可能会降低低频性能。，非制冷红外光伏探测器，适用于红外成像、光谱测量、环境监测和工业过程控制。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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