该激光器是用于模拟调制应用的密集波分复用（DWDM）激光器。它采用基于专有外延和结构的分布式反馈（DFB）设计，以消除高性能模拟应用的张弛振荡。激光器出色的线性度和工作特性较大限度地减少了传输RF信号的衰减。该器件采用标准14引脚蝶形封装，内置热电冷却器（TEC）和用于功率监控的光电二极管。该激光器可用于客户选择的用于DWDM的ITU波长。

ID Qube NIR自由运行为电信波长自由运行模式下的单光子探测带来了重大突破。它为异步光子检测必不可少的应用（如光子相关或飞行时间测量）提供了一种经济高效的解决方案。此外，它特别适用于激光雷达等对紧凑性要求很高的应用。探测器提供了一个专用的门输入端口连接器，以避免饱和或不需要的探测。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计，可在自由运行模式下实现低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本（MMF62.5），与SMF和MMF62.5光纤兼容。

ID Qube NIR选通是一种针对电信波长优化的快速选通单光子探测器。它为量子通信，特别是量子密钥分配等需要同步光子探测的应用提供了一种经济有效的解决方案。它也非常适合需要紧凑的激光雷达等应用。探测器提供门输入设计，以避免饱和或不需要的检测，也可以在自由运行模式下运行。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计，以实现快速门控操作的低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本（MMF62.5），与SMF和MMF62.5光纤兼容。

走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

InGaAs雪崩光电二极管。

InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs雪崩光电二极管。

IG17系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.7um。该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。

Intense 5200系列激光模块将多个1200系列二极管激光器与一束以圆形排列的七根光纤相结合，可有效耦合到400um或600um纤芯0.22NA或更大的光纤中。耦合通过FC耦合进行管理。（七段微型阵列与七根光纤光学耦合。）阵列的并行配置很容易用商业上可获得的激光电流驱动器来驱动。高热负荷封装的内部包括热电冷却器、监控光电二极管和热敏电阻。输出光纤束位于端接于FC连接器的铠装电缆中。

L3 Kigre制造微型“眼睛安全”二极管泵浦1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料，优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的JAM-11F是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射器，无集成光电二极管。

大面积InGaAs光电二极管

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1.5毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。高分流电阻允许对低电平光信号的高灵敏度。感光区直径为2毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为3毫米。平面钝化器件结构。

FAXD-1064-100S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处连续输出功率为100mW。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-180S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处具有180mW的连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-200S-BTF是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处具有200mW连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-785-0.5W-FC100-VBG是一种光纤耦合多模连续输出功率为0.5W的半导体激光器785nm。由于集成的体光栅，波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它带有内部热敏电阻，TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。