成像源MIPI®CSI-2相机模块是工业嵌入式成像解决方案的完美选择。新产品系列包括各种紧凑型工业传感器模块和支持平台。嵌入式目标平台的ISP允许直接执行后期处理任务，如去马赛克和色彩校正。对于需要更长电缆长度的应用，成像源采用FPD-Link®III协议的桥接解决方案。FPD-Link III网桥的电缆长度可达15米，并可通过一根紧凑型同轴电缆同时进行数据传输、控制通道和供电。成像源提供基于强大的嵌入式平台NVIDIA Jetson TX2的嵌入式系统解决方案。除了其强大的GPU外，它还拥有一个专用的ISP，可处理12个CSI-2摄像机通道，每个通道的速度高达1.5 GB/s，较多可同时处理6个摄像头流。此外，ISP完成诸如去噪、锐化、颜色校正和图像缩放操作的后处理任务。使用我们为成像源支持的平台预先构建的OpenEmbedded图像和层，立即开始开发您的嵌入式应用程序，或者为传感器配置创建您自己的图像。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

HL7001MG/02MG InGaAsP半导体激光器

HL83013MG GaAlAs半导体激光器。

HL8340MG/41MG砷化镓激光二极管

OSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计，具有低背反射和低偏振相关损耗（PDL）。探测器模块具有高可靠性，符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤，并提供两种背向反射水平。

Incom的LAPPD™是世界上较大、较快的基于MCP的光电探测器。凭借皮秒级时序、高空间分辨率和业界较低的暗计数，没有任何探测器能够以单光子灵敏度成像。我们的LAPPD™是与美国能源部（Department of Energy）、阿贡国家实验室（Argonne National Labs）和芝加哥大学合作开发的，旨在探索物质和能量的基本成分、它们之间的相互作用以及空间和时间的本质。经过近十年的发展，英康公司非常自豪地将这一革命性的技术推向市场。

LAPD 1550-200R是一款200um InGaAs APD，采用3引脚TO46密封封装。低噪声、高灵敏度

使用World Star Tech激光束轮廓仪，全面了解系统的光学性能。光束轮廓仪可让您在微观尺度上看到激光束的确切形状和特征。它专为可重复和可靠的数据采集而设计，是制造、维修和装配应用的理想选择。无窗130万像素1/2传感器捕捉光束轮廓，没有标准图像传感器存在的边缘效应。查看小至5.2µm的复杂光束特征。通过实时椭圆计算可视化光束，并通过曲线拟合查看横截面。在易于使用的Windows软件界面上显示感兴趣的关键波束宽度参数，如半高全宽（FWHM）和1/E2。使用具有可自定义测试持续时间和采样率的光束漂移可视化工具，跟踪光束质心随时间的稳定性。将结果导出为各种图像格式或PDF报告。

MALD-02079/MALD-02080与M02076和M02077器件引脚兼容。新的双闭环支持宽动态MPD输入电流范围，增强了工作条件下的ER稳定性和模式依赖性抗扰性。MALD-02079/MALD-02080是一款低功耗、高度集成的激光驱动器和连续模式限幅放大器，适用于3.125 Gbps的ONT应用。内部状态机和EEPROM执行独立操作所需的所有功能（EEPROM位于MALD-02080内部，外部EEPROM可与MALD-02079一起使用，但不是必需的）。内部状态机将实时获取和缩放所有必要的监控参数，并使其可用于MAC或外部主机控制器。使用MALD-02079/MALD-02080将较大限度地降低功耗和部件数量，提供设计灵活性并简化制造过程。激光驱动器可配置为通过开环查找表或使用监控光电二极管反馈的三种不同闭环方法之一（包括Macom专有的双闭环和单闭环（调制）模式）来控制激光器。

MALD-02101与M02099器件引脚兼容。新的双闭环支持宽动态MPD输入电流范围，增强了工作条件下的ER稳定性和模式依赖性抗扰性。还包括一个可编程的眼睛整形网络，以提高TX眼睛的质量。

MAOM-002311是一款高性能单通道直接调制激光器（DML）驱动器，适用于使用28 GBaud PAM4调制的50G、100G和200G应用。该器件由800 mVppd的标称差分输入信号驱动，并提供可在28 MAPP至57 MAPP范围内控制的输出电流。DML驱动器在45 MAPP输出时具有330 MW的极低功耗。该驱动器采用4 X 4 mm表面贴装封装，集成了用于驱动器和DML的高频偏置扼流圈。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

掺磷光纤PDF-5/125系列专为在1.1-1.6µm光谱范围内工作的高效拉曼激光器和放大器而设计。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

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LASOS的LGK 7786 PD1是一款波长为543 nm、功率为1 MW、输出功率（CW）为1 MW、工作温度为10至40摄氏度、存储温度为-40至80摄氏度的激光器。LGK 7786 PD1的更多详细信息可在下面查看。

来自光转换的CB3-80W是工作在1030nm的飞秒激光器。它的平均功率高达80瓦，脉冲能量超过800μJ，脉冲持续时间从290fs到10ps.该激光器具有<0.5%RMS的优异功率稳定性。该激光器具有60kHz至2MHz的重复率，当与用于输出脉冲定时的内置脉冲选择器和具有<10微秒响应时间的全尺寸能量控制相结合时，能够实现发射的任意整形。CB3-80W激光器发射ASE背景<10-9的纯脉冲，以及最近更新的最大能量规格，无论环境条件如何，都不会影响光束质量、工业级可靠性和光束稳定性。该激光器的输出可以被分成几个皮级和纳米级分离的脉冲的脉冲串，同时具有修改脉冲串包络的能力。它在110至220 V的交流电源电压下工作，功耗高达1200瓦。这种垂直偏振激光器具有集成谐波发生器，允许在514nm、343nm和257nm的不同波长下应用飞秒。该激光器采用模块形式，激光头尺寸为632（L）×305（W）×173（H）mm，是工业和科学应用的理想选择。