我们Microchip系列的SB1-532-20-1是一款短纳秒脉冲、20uJ、低SWAP、超紧凑、1 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号，进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计，Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中，高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置，范围从236.5nm到1064nm，提供高达80µJ的脉冲能量，脉冲持续时间从几ns到350ps，工厂设置的重复率从单次到100kHz，并且能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换，在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口，使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

我们Microchip系列的SB1-532-7-15是一款短纳秒脉冲、7uJ、低SWAP、超紧凑、15 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号，进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计，Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中，高度集成且坚固耐用的激光器封装。在保持同样出色的激光输出性能的同时，SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置，范围从236.5nm到1064nm，提供高达80µJ的脉冲能量，脉冲持续时间从几ns到350ps，工厂设置的重复率从单次到100kHz，并且能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换，在不同波长上共享相同的外形尺寸和电气及软件接口，使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

我们Microchip系列的SB1-946-12-5是一款短纳秒脉冲、12uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号，进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计，Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中，高度集成且坚固耐用的激光器封装。在保持同样出色的激光输出性能的同时，SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置，范围从236.5nm到1064nm，提供高达80µJ的脉冲能量，脉冲持续时间从几ns到350ps，工厂设置的重复率从单次到100kHz，并且能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换，在不同波长上共享相同的外形尺寸以及电气和软件接口，使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

我们Microchip系列的SB1-946-35-0.1是一款短纳秒脉冲、35uJ、低SWAP、超紧凑、100 Hz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号，进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计，Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时，SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置，范围从236.5nm到1064nm，提供高达80µJ的脉冲能量，脉冲持续时间从几ns到350ps，工厂设置的重复率从单次到100kHz，并且能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换，在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口，使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

产品型号 :Centrale 该光纤半导体激光管驱动器集成了两个半导体激光管驱动器、6 个光电二极管电子器件、一个脉冲选择器同步工具和许多其他专用功能，适用于几乎任何类型的光纤激光器架构。 该光纤半导体激光管驱动器使您可以在仅需几周的时间开发出完整的光纤激光原型。 种子源半导体激光管有一个“脉冲/连续”通道，泵浦半导体激光管有一个“连续”通道。它与任何类型的光纤激光器架构兼容：锁模、Q-Switch、MOPA 以及任何类型的种子源模块，如 EOM 调制激光管、增益开关激光管、微芯片等。

单管芯片(未切割的巴条) ，发射器宽度100μm，910nm；现货库存，请联系客服咨询。

DICON的MEMS光学衰减器基于微机电系统（MEMS）芯片。MEMS芯片由硅支撑上的电可移动反射镜组成。施加到MEMS芯片的电压使反射镜旋转，这改变了MEMS光学衰减器的输入和输出光纤之间的光耦合。

DICON的MEMS光学衰减器基于微机电系统（MEMS）芯片。MEMS芯片由硅支撑上的电可移动反射镜组成。施加到MEMS芯片的电压使反射镜旋转，这改变了MEMS光学衰减器的输入和输出光纤之间的光耦合。

Broadcom的HSMF-C11B是一款三色顶部安装芯片，采用磷化铝铟镓（ALLNGAP）和氮化铟镓芯片技术，使该产品能够提供业界领先的光输出性能。ChipLED与回流焊接工艺兼容。该LED采用1.08 mm×1.08 mm的极小封装尺寸，在Broadcom的三色ChipLED系列中具有最薄的封装高度。这种超薄外形特性使这款LED非常适合需要低封装高度的应用，如指示灯和背光，并且小封装尺寸使LED能够支持紧密间距配置的组装。为了便于取放，零件包装在8毫米胶带和直径为7英寸的卷轴中。每个卷轴都是从一个单一的强度和颜色箱运送的，以实现更好的均匀性控制。

Broadcom的HSMF-C144是一款直角双色芯片，工作波长为570 nm（黄绿色）和632 nm（红色）。它的发光强度为18-180 MCD，视角为120°，可实现出色的色彩混合。这款LED的功耗高达72 MW，反向电压高达5 V.它采用高效磷化铝铟镓（ALLNGAP）芯片技术，可提供高光输出性能。该LED的正向电压为1.6-2.4 V，正向电流高达30 mA.HSMF-C144采用表面贴装封装，尺寸为3 X 2 X 1 mm，还采用卷带封装，尺寸为7英寸（卷盘直径）X 8 mm（载带），与行业标准自动机器贴装和回流焊接兼容。它是背光、状态指示灯、前面板指示灯、办公自动化、家用电器和工业设备应用的理想选择。

Freedom Photonics的FP3016U是一款U波段可调谐激光器，中心波长为1653 nm.它的最小输出功率为5 MW，调谐范围为45 nm.该激光器由单片磷化铟芯片组成，该芯片集成了宽范围可调谐激光器和半导体光放大器（SOA）。集成的SOA便于灵活控制输出功率，并在反向偏置时充当快门，实现通道之间的暗调谐。激光线宽小于50MHz，相对强度噪声优于-135dBc/Hz.该激光器采用14引脚蝶形封装，内置光隔离器和单模保偏（PM）光纤。它是气体传感、光谱、测试和测量应用的理想选择。

Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管，工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W，功率斜率为3W/A，光谱宽度（FWHM）为10nm，脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V，阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计，并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装，非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器，可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm（FWHM），光束发散角为7度（平行）和40度（垂直）。在大多数封装上，这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接，并且具有高精度放置，无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装，尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm，是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列，工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW，光谱宽度为1 nm（FWHM）。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm，光束发散度为7度（平行）和26度（垂直）。它的阈值电流为12 A，需要1.9 V直流电源，消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片（CS）封装，是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。