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波长范围: 355-1150 nm 传感器: 1" CMOS 分辨率: 4.2 MPixel (2048 x 2048) 像素尺寸: 5.5 x 5.5 µm 最小光束尺寸(10像素): 55 µm
WinCamD-LCM是一款高分辨率CMOS光束轮廓相机,具有USB 3.0接口、11.3 x 11.3毫米有效面积、4.2百万像素、5.5 x 5.5 微米像素、光学和电子全局快门触发,并且更新速率高达60+赫兹,WinCamD-LCM系列非常适用于连续波和脉冲激光束成形。高分辨率的CMOS检测器意味着没有彗星尾迹,并且快门和触发选项简化了脉冲捕获过程。该相机适用于CW和脉冲激光轮廓,现场服务,光学组件对准等应用。
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截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W
LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块,采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器,并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作,需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01(单独出售)和智能管理软件(免费软件)。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器,是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4
PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器,经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能,反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0
PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/W
PC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低,1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 3.0µm, 3.4µm, 4.0µm, 5.0µm, 6.0µm, 8.0µm, 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/W
PV-3TE系列特征为基于复杂HgCdTe异质结构的三阶段热电冷却红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以获得最大性能。可根据要求优化截止波长。反向偏压可能显著提高响应速度和动态范围。它还可以改善高频性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0-6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥5.0×1010, ≥3.0×1010, ≥1.5×1010, ≥8.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥4.5×1010, ≥2.0×1010, ≥9.0×109, ≥4.0×109 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0
PVI series特征为非制冷红外光伏探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器针对λopt的最大性能进行了优化。可以根据要求优化截止波长。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围,也提高高频性能,但偏置设备中的1/f噪声可能会降低低频性能。,非制冷红外光伏探测器,适用于红外成像、光谱测量、环境监测和工业过程控制。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥3.0×1011, ≥2.0×1011, ≥1.0×1011, ≥4.0×1010, ≥9.0×109, ≥5.0×108, ≥4.0×108 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥1.5×1011, ≥1.0×1011, ≥6.0×1010, ≥1.5×1010, ≥5.0×109, ≥4.0×108, ≥2.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0, ≥1.3, ≥1.5, ≥1.5, ≥0.5
PV-4TE 系列产品具有四级热电冷却红外光伏探测器,基于复杂的 HgCdTe 异质结构,旨在提供最佳性能和稳定性。这些设备针对 λopt 达到最大性能进行了优化。切入波长可以根据需求进行优化。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围。它还提高了高频性能,但在有偏压的设备中出现的 1/f 噪声可能会降低低频性能。3° 楔形蓝宝石 (wAl2O3) 或锌硒化物抗反射镀膜 (wZnSeAR) 窗口可防止不必要的干扰效应。