• FL500激光二极管和VCSEL驱动器 半导体激光器配件

    FL500是驱动低功率激光二极管的理想选择。它的工作电压为3至12 V,因此与Li+电池工作兼容。它可以配置为两个完全独立的250mA驱动器或单个500mA驱动器。与A型或B型激光二极管兼容。FL500可在恒流(CC)模式下快速轻松地操作。对于简单的CCMODE操作,所需的元件只有电源、模拟控制电压、激光器和可选滤波电路。对于其他特性,包括用于恒定功率操作的限流和光电二极管反馈,FL500可与FL591评估板配合使用。

  • FP1-850K光电探测器 光电探测器
    俄罗斯
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 810nm

    FP1-850K型光电二极管,光谱灵敏度范围为810-870 nm,通过纤芯直径为50μm的多模光纤将辐射引入人体。它是在硅PIN光电二极管的基础上制成的,用于光纤通信系统、陀螺仪、测量设备和其他领域,作为接收器和将光辐射转换为电信号的转换器。帖子导航

  • FSAC 干涉自切仪 脉冲诊断器件
    美国
    厂商:索雷博
    设备类型: Autocorrelator 可测量的脉冲宽度: 15 - 1000 fs 波长范围: 650 - 1100 nm 输入极化: Horizontal

    Thorlabs的FSAC干涉自相关器提供650-1100nm波长范围内的近似脉冲宽度测量。它非常适用于飞秒钛宝石激光器和1um振荡器的诊断,主要由一个改进的迈克尔逊干涉仪组成,在输出端有一个非线性探测器。BNC连接器输出自相关信号,可在带宽>1.5MHz的任何示波器上查看。右图显示了FSAC的直接输出示例。光电二极管放大器具有0dB至70dB的可选增益,可兼容大范围的光输入功率,较大平均功率可达150mW。外壳外部直观、易于操作的控件允许用户优化分辨率和条纹对比度。延迟臂的控制可实现50fs至10ps(即±25fs至±5ps)的全扫描范围,千分尺可调整探测器的位置以获得较大信号。有关较新信息,请访问Thorlabs.com。

  • Ge雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Ge 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 800 - 1800 nm

    雪崩光电二极管

  • 葛氏光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Ge 工作波长: 1300nm

    锗光电二极管

  • 高灵敏度的2.5Gbps PIN-PD TIA TO 光网络配件
    基里巴斯
    分类:光网络配件
    厂商:Wooriro

    高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO是一款TO-46封装的InGaAs引脚PD器件,具有高灵敏度TIA,可用于高达2.5Gbps的光纤通信网络应用。引脚PD/TIA安装在TO-46针座上,并用镜头盖密封。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有宽输入动态范围,支持不同的传输距离要求。它的典型输入过载为3dBm,支持短距离光纤系统。此外,-30.0 dBm的典型输入灵敏度允许在噪声环境中检测非常小的信号,使其成为高分流比PON网络的理想选择。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有超高灵敏度,无需使用雪崩光电二极管即可精确检测光学数据。

  • 高灵敏度的10Gbps APD ROSA 光网络配件
    基里巴斯
    分类:光网络配件
    厂商:Wooriro

    有源光通信-光电二极管模块。高灵敏度10Gbps APD Rosa。

  • 高灵敏度的10Gbps APD TO 光网络配件
    基里巴斯
    分类:光网络配件
    厂商:Wooriro

    有源光通信-光电二极管模块。高灵敏度10Gbps APD至。

  • 高速InGaAs光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1700nm

    高速InGaAs光电二极管

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD100系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    高速、低暗电流、低电容光电二极管,适合高速通信系统、LAN和FDDI应用。感光区直径为100微米。平面钝化器件结构。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD150系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    高速、低暗电流、低电容光电二极管,适合高速通信系统、LAN和FDDI应用。150微米直径的光敏区域改善了与使用有源器件插座的多模光纤的耦合。平面钝化器件结构。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD300系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    通用InGaAs PIN光电二极管适用于各种应用,包括红外仪器仪表和中速通信系统。感光区直径为300微米。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD50系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    极高速、低电容、低暗电流光电二极管,适合极高比特率接收器应用。感光区直径为50微米。平面钝化器件结构。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD500系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    通用InGaAs PIN光电二极管适用于各种应用,包括红外仪器仪表和中速通信系统。感光区直径为500微米。

  • 高速InGaAs PIN光电二极管FD80系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    用于高速通信系统的高速、低暗电流、低电容光电二极管。感光区直径为80微米。平面钝化器件结构。

  • 高线性、直接调制的DFB激光模块 半导体激光器
    美国
    厂商:APIC Corporation
    激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 1.5475nm 输出功率: 40mW

    该激光器是用于模拟调制应用的密集波分复用(DWDM)激光器。它采用基于专有外延和结构的分布式反馈(DFB)设计,以消除高性能模拟应用的张弛振荡。激光器出色的线性度和工作特性较大限度地减少了传输RF信号的衰减。该器件采用标准14引脚蝶形封装,内置热电冷却器(TEC)和用于功率监控的光电二极管。该激光器可用于客户选择的用于DWDM的ITU波长。

  • ID Qube NIR自由运行 光电探测器
    瑞士
    分类:光电探测器
    厂商:ID Quantique
    峰值量子效率: 23% 光谱范围: 900 - 1700 nm

    ID Qube NIR自由运行为电信波长自由运行模式下的单光子探测带来了重大突破。它为异步光子检测必不可少的应用(如光子相关或飞行时间测量)提供了一种经济高效的解决方案。此外,它特别适用于激光雷达等对紧凑性要求很高的应用。探测器提供了一个专用的门输入端口连接器,以避免饱和或不需要的探测。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计,可在自由运行模式下实现低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本(MMF62.5),与SMF和MMF62.5光纤兼容。

  • ID Qube NIR Gated 光电探测器
    瑞士
    分类:光电探测器
    厂商:ID Quantique
    峰值量子效率: 20% 光谱范围: 900 - 1700 nm

    ID Qube NIR选通是一种针对电信波长优化的快速选通单光子探测器。它为量子通信,特别是量子密钥分配等需要同步光子探测的应用提供了一种经济有效的解决方案。它也非常适合需要紧凑的激光雷达等应用。探测器提供门输入设计,以避免饱和或不需要的检测,也可以在自由运行模式下运行。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计,以实现快速门控操作的低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本(MMF62.5),与SMF和MMF62.5光纤兼容。

  • InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Go!Foton
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm

    走!Foton的雪崩光电二极管(APD),前照式,适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

  • 砷化镓雪崩光电二极管IAG-系列 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

    IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD,在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。