Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。

光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。

Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块，可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2，输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns，峰值响应为0.72 A/W，偏置电压为10 V，暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器，可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器（SMA、F和ST型）和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作，封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns，有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。

First Sensor的501559是单元件PIN光电二极管，有效面积为2.8 X 2.8/6.2 mm2。这种背照式PIN光电二极管针对CSI：Tl闪烁体发光检测进行了优化。它采用BGA封装，采用平面倒装芯片设计，是光度测量、阵列组件和X射线检测应用的理想选择。

Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管，工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成，提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V，光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性，是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

来自COMNET的CNFE1003M2-A是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为4 W，电源电压为8至15 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE1003M2-A的更多详细信息，请联系我们。

COMNET的CNFE1005M2-A是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为4 W，电源电压为8至15 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE1005M2-A的更多详细信息，请联系我们。

COMNET的CNFE1M2/3是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3至6 W，电源电压为8至24 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE1M2/3的更多详细信息，请联系我们。

COMNET的CNFE1M2/5是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3至6 W，电源电压为8至24 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE1M2/5的更多详细信息，请联系我们。

COMNET的CNFE2003M2/M是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3 W，电源电压为8至24 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE2003m2/m的更多详细信息，请联系我们。

来自COMNET的CNFE2003M2是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3 W，电源电压为8至24 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE2003M2的更多详细信息，请联系我们。

ComNet的CNFE2003M2PoE/M是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3 W，电源电压为48至56 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE2003M2PoE/M的更多详细信息，请联系我们。

来自COMNET的CNFE2003M2POEHO/M是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3 W，电源电压为48至56 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE2003M2POEHO/M的更多详细信息，请联系我们。

COMNET的CNFE2005M2/M是一款电光转换器，数据速率为10至100 Mbps，距离/范围为3 km，功耗为3 W，电源电压为8至24 VDC，波长范围为1310 nm.有关CNFE2005m2/m的更多详细信息，请联系我们。