MOGLabs 的 MSA 系列放大激光器是一种紧凑、坚固、稳定的系统，集成了种子激光器和锥形放大二极管，可提供高达 4W 的光输出。 输入和输出耦合透镜采用线切割挠性安装设计，具有出色的无源稳定性，并便于用户在 TA 芯片达到使用寿命后进行更换。 可使用多种隔离器，包括孔径为 4 毫米的紧凑型隔离器和孔径为 5 毫米的双级隔离器。 MSA 种子放大器使用 MOGLabs 独特的固有自对准猫眼激光器，具有极低的频率漂移和优秀的无源线宽。

波长1550nm的脉冲单管半导体激光器是使用半导体材料作为工作物质的激光器，单个芯片封装，以脉冲模式工作，输出波长属于人眼安全波段，可广泛用于工业、医疗、通信等行业。

curamik® CoolPower由多层纯铜精细结构组成，这些层构成了三维结构用于高性能电子设备散热。在curamik结合过程中，不同层在没有额外焊接或粘合层的情况下密封结合。curamik® CoolPower Plus冷却器是集成了陶瓷基板(氧化铝或氮化铝)的DBC冷却器，DBC基板层可以直接组装组件（板上芯片），同时从冷却电路中提供电气隔离。

1999CVB是一款980nm冷却泵浦激光模块，适用于高输出功率低噪声光纤放大器、密集波分复用光纤放大器和有线电视。980 nm 冷却泵浦激光模块，具备高波长和功率稳定性，采用内部芯片技术，提供卓越的性能和可靠性。

APIC Corporation的20/40 GHz高功率、高线性台式光电接收模块，适用于需要高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连场合。这是一款台式模块，使用了ARX20/40系列光电探测器（PD），并集成了偏压电源和前面板上的偏压电流监控显示。内置可充电电池为PD提供稳定偏压。InGaAs PD采用专有芯片设计，优化了高输入光功率和输出电流线性。该接收器设计用于与低相对强度噪声（RIN）光发射器配合使用，实现高性能RF光纤链路。

ACPhotonics的Athermal AWG（AAWG）产品采用硅基平面技术，具有高性能和可靠性，可用于一般DWDM系统。基于无热设计和封装，它是完全被动的产品，不需要任何电力或温度控制。对于100G AAWG Mux/Demux，它支持基于单个芯片组的高达48通道，提供高斯或平顶轮廓作为选项。适用于电信和接入网络。

索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片。该激光器的工作波长为850 nm，光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电，功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度，光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型，并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供，是高速数据通信应用的理想选择。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

MALD-37345是一款四通道28G VCSEL驱动器，集成了自适应输入均衡器，可用作光学模块中完整的单芯片发射解决方案。输出以250µm为中心，与标准光学接口兼容。每个通道均可通过双线式串行接口进行控制，并包括一个具有眼图整形功能的VCSEL驱动器和一个自适应输入均衡器。MALD-37345采用3 mm X 2 mm芯片，以华夫饼包装或晶片形式提供。

MALD-38435是一款四通道28Gbaud PAM4/NRZ线性VCSEL驱动器，设计用于调制光模块传输路径中的VCSEL。输出以250μm为中心，与标准光学接口兼容。该器件提供双线式串行接口，允许对偏置和调制电流进行数字可编程控制。MALD-38435采用3 mm X 2 mm芯片，以华夫饼包装或晶圆形式提供。该器件是MAOM-38051/MAOM-38053四通道28Gbaud PAM4/NRZ CDR的配套产品，具有自适应均衡器和眼图整形功能，可实现完整的发射路径。

红色多芯片封装（MDP）旨在提供优于其他红色激光显示封装的技术和成本性能。MDP提供比TO-Can、二极管组或二极管条更好的温度性能。MDP配置为4行，每行5个二极管，是一种更易于集成的解决方案，能够在CW或脉冲模式下工作，并为快速批量生产提供了一种易于扩展的架构。

NEOVAN系列是一种OEM型固态激光放大器系统，用于提高几种应用的脉冲能量或平均输出功率。灵活的系统设计允许根据高可靠性和长寿命增益模块选择不同的功率和能量水平。超紧凑和接近单片的模块允许激光应用机器、科学激光器或低功率振荡器的轻松集成和成本效益升级。无论是用于微加工应用的高峰值功率短脉冲皮秒激光，还是用于引力波探测的单频辐射，NEOVAN放大器模块都将促进您的应用。虽然光纤耦合的高增益模块允许直接放大锁模振荡器、增益切换或窄线宽二极管，但标准自由空间模块将微芯片激光器缩放到高平均功率或高能量水平。

NEOVAN系列是一种OEM型固态激光放大器系统，用于提高几种应用的脉冲能量或平均输出功率。灵活的系统设计允许根据高可靠性和长寿命增益模块选择不同的功率和能量水平。超紧凑和接近单片的模块允许激光应用机器、科学激光器或低功率振荡器的轻松集成和成本效益升级。无论是用于微加工应用的高峰值功率短脉冲皮秒激光，还是用于引力波探测的单频辐射，NEOVAN放大器模块都将促进您的应用。虽然光纤耦合的高增益模块允许直接放大锁模振荡器、增益切换或窄线宽二极管，但标准自由空间模块将微芯片激光器缩放到高平均功率或高能量水平。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。