• VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/s

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品,供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触,使用地-源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • VM100-850-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHz

    VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现已作为工程样品提供,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源(GSG)微探针或线键进行接触。

  • V50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mA

    V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

  • VM50-940-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA

    这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

  • V25-850-HT 高温稳定VCSEL 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHz

    V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4)阵列作为工程样品提供,用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触,使用地源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性,并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆(AOC),具有高达28 Gbit/s的速率。

  • VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx 单模顶发射VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

  • VM100-910-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶部表面单独接触。

  • V25-940-SG-MA-HP-C1 多孔垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mA

    V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作,适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

  • VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现作为工程样品供应,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源(GSG)微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

  • VM50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nm

    VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

  • VM100-880-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHz

    VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片作为工程样品,可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-940-GSG-Cxx 基垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合单独接触顶面。

  • VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

    VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源(GS)微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

  • VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导,以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触,使用地-源-地(GSG)微探针或金属线键合。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片,支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片,数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择,间距为 250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片,数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

  • D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片,适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率,用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式,通道间距为250微米,可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

  • R56-850TB 光接收模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

    R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器(TIA),组装在高速适配板上,具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合,使用FC/PC连接器输入,设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用,速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。