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产品代码: FTMIR-L1-060-4TE, FTMIR-L1-085-4TE, FTMIR-L1-120-4TE, FTMIR-L1-160-LN2, FTMIR-L1-160-DLA 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 5000-1660, 6600-1200, 5000-830, 5000-650 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12, 2-16 探测器类型: MCT (4-TE cooled), DLATGS (LN2 cooled)ARCOPTIX FT-MIR ROCKET是一款高性能、紧凑且可靠的光谱仪，非常适合中红外的各种应用。该光谱仪通过自制的可更换干燥剂胶囊有效降低了干涉仪体积中的CO2或H2O浓度。凭借其永久对准的干涉仪和固态参考激光器，FT-MIR ROCKET在强度和波长尺度上提供了出色的稳定性。
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光谱范围: 350-2600nm 决议: < 5nm 测量几何结构: Diffuse illumination, 8° viewing angle 积分球直径: 50mm 积分球入口直径: 10mmARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器，专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪，用于可见光区域的测量，以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并，并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。
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光谱范围: 350nm-2500nm 决议: <1.5nm 光纤输入: 2X SMA-905 单次采集扫描时间: 2 软件接口: Windows 7/10/11ARCoptix VIS-NIR 是一款高分辨率、宽波段的光谱仪，覆盖可见光和近红外范围，集成了FT-NIR和光栅光谱仪，用于高分辨率的测量，透射测量、漫反射测量、光源表征和材料识别。
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相位移范围: 50-1200nm (max. 3000nm) 波长范围: 350-1800nm 有效区域: 科学级: 10mm或20mm (直径); 工业级: 23mm (方形) 传输: 85% (VIS) 延迟材料: 向列液晶，典型值Δn=0.14ARCoptix S.A的液晶可变相位延迟器（VPR）是一种透射元件，能在激光工作时提供极小的损耗。其光学延迟（或相位移）可通过简单的实验室替代电源或函数发生器进行电调。该设备能在350nm到1800nm的可见光和近红外区域内工作，且损耗不超过20%。适用于偏振管理、干涉测量和计量等应用。
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性能: 340 nm & 380 nm LED照明系统 保修: 系统=36个月，LED=36个月（340 nm LED保修3000小时累计使用） 环境与安全: 环保节能，无汞无激光，长寿命，无需更换灯泡，降低眼睛损伤风险，安静运行 控制与接口: 手动：手动控制模块，远程：通过全球和单独通道TTL <20 μs全功率，连接性：通过USB（B型）远程连接以进行成像软件控制，序列运行器：单TTL输入以步进用户定义的序列，<20 μs全功率 电源要求: 100-240 VAC, 50.60 Hz, 1.4 ApE-340fura是一款专为Fura-2比率钙成像设计的定制LED照明器，同时支持日常荧光显微镜应用。该系统提供340 nm和380 nm的LED照明，能够实现高精度、稳定和高通量的成像，具有视频速率时间分辨率。适用于心肌细胞成像。
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光谱覆盖范围: 365-635nm 功率要求: 100-240V a.c. 50/60Hz 待机功耗: 2W 全部波长功耗: 80W 光源尺寸: 243mm(w) x 102mm(d) x 197mm(h)pE-400系列是一款可控的LED显微镜照明系统，包括pE-400和pE-400max两个型号，提供从365nm到635nm的广谱覆盖，适用于从日常荧光到高级荧光应用。
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触发速度: <7µs 光谱范围: 340-635nm (pE-800fura), 365-740nm (pE-800) 控制与接口: USB 2.0, TTL, RS-232 输入电压: 100-240V a.c. 50/60Hz 功率: 最大127W（8通道100%辐照度）pE-800系列提供了8通道LED照明，适用于钙成像、pH成像、比率测量以及日常荧光应用。该系列包括pE-800fura和pE-800型号，分别覆盖340-635nm和365-740nm的光谱范围，提供快速控制和高质量数据。适用于钙成像、pH成像、比率测量及日常荧光应用，具有快速控制和高质量数据。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHzVM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。
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发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mAV50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。
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发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mAV25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。
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发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHzVM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。
产品选型就用光电查
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