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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 0.3 nAAlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器，波长范围为900~1700nm，上升时间为75000ps，暗电流为0.3nA，带宽为0.004GHz，有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 5 nA来自AlphaLas的UPD-2M-IR2-P是波长范围为900至1700nm、上升时间为75000ps、暗电流为5nA、带宽为0.004GHz、有源区直径为3.14mm的光学探测器。有关UPD-2M-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nAAlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nAAlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nAAlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器，波长范围为170~1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nAAlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器，波长范围170~1100nm，上升时间300ps，暗电流0.01nA，带宽1GHz，有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-FR的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-P的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-P的更多详情见下文。
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