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  • UPD-40-VSI-P 光电探测器
    UPD-40-VSI-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 500 to 1690 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 5000 nA

    来自AlphaLas的UPD-40-VSI-P是波长范围为500至1690nm、上升时间为40ps、暗电流为5000nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-40-VSI-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-SD 光电探测器
    UPD-50-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-SP 光电探测器
    UPD-50-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学探测器。有关UPD-50-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UD 光电探测器
    UPD-50-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UP 光电探测器
    UPD-50-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SD 光电探测器
    UPD-500-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SP 光电探测器
    UPD-500-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-UD 光电探测器
    UPD-500-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-UP 光电探测器
    UPD-500-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-5N-IR2-P 光电探测器
    UPD-5N-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA

    来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-D 光电探测器
    UPD-70-IR2-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。UPD-70-IR2-D的更多详情见下文。

  • UPD-70-IR2-FC 光电探测器
    UPD-70-IR2-FC
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-FR 光电探测器
    UPD-70-IR2-FR
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-P 光电探测器
    UPD-70-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    AlphaLas公司的UPD-70-IR2-P是一种光学探测器，波长范围为800~1700nm，上升时间为70ps，暗电流为0.8nA，带宽为5GHz，有源区直径为0.005mm.UPD-70-IR2-P的更多详情见下文。

  • UPD-70-UVIR-D 光电探测器
    UPD-70-UVIR-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。

  • UPD-70-UVIR-P 光电探测器
    UPD-70-UVIR-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。

  • FP1015b 光电探测器
    FP1015b
    美国
    分类：光电探测器
    厂商：Freedom Photonics
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/W

    Freedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为30至35 GHz，响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息，请联系我们。

  • FP1015c 光电探测器
    FP1015c
    美国
    分类：光电探测器
    厂商：Freedom Photonics
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/W

    Freedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为60至65 GHz，响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息，请联系我们。

  • FP1017a 光电探测器
    FP1017a
    美国
    分类：光电探测器
    厂商：Freedom Photonics
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/W

    Freedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器，波长范围为850 nm，暗电流为50 pA，带宽为2至3 GHz，响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W，有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息，请联系我们。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    C30619GH-LC
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Excelitas Technologies
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。