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暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs
Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。
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有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C
Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管,以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求,所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据,以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。
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有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)
双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series),又称双色探测器,主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线,来测量温度。这些设备适合于光学远程测量,具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用,具有紧凑、密封性好等特点。
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储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W
OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。