• Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 双面、超线性位置传感器PSD 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 暗电流: 0.025-1.4 μA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C

    双面、超线性位置传感器(Duo-Lateral, Super Linear PSD)采用最先进的双侧技术,提供一个连续的模拟输出,该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例,具有超高精度和宽动态范围,适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。

  •  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  •  Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 3.9nA 电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 工作温度范围: 30-85°C

    多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成,彼此相邻排列,形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束,具有低电气串扰和超高均匀性,使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mA

    FCI-H125G-010是一款针对短波长(850nm)高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器,并包括一个高增益跨阻放大器,用于产生差分输出电压,以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器,适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • Photop™系列光电二极管放大器混合器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

    Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围,集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器,特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽,适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管,以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求,所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据,以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • 塑料封装光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 暗电流: 多种值

    高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供,包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本(SOT-23)。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。

  • SPOT系列分段光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.25-19.6 mm² 响应度: 0.010-0.127 A/W 电容: 1-50 pF 暗电流: 0.01-0.50 nA 噪声等效功率: 2.8e-15-1.9e-14 W/√Hz

    SPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域,具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位,具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

    XUV Series独特的硅光电二极管系列,设计用于X射线区域的额外灵敏度,无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm(6eV到17.6KeV)的宽光谱范围内敏感,每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对,对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • 可焊接的光电二极管芯片系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位

    这是一系列可焊接的光电二极管芯片,提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大活动区域的光检测器,无论是否带有飞线以便组装,或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

  • 四边形位置传感器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670

    四边形位置传感器(Tetra-Lateral Position Sensors)采用单一电阻层制造,适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极,用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

  • 双层夹心探测器系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)

    双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series),又称双色探测器,主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线,来测量温度。这些设备适合于光学远程测量,具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用,具有紧凑、密封性好等特点。

  • UV增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

    OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列:反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

  • 紫外线增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

    OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列:反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。