Hamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm，灵敏度为2mA/W，探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W，最大上升时间为10ns，最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω，终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装，非常适合辐射温度计和气体检测（CH4、CO2、Co、NH3、O3等）应用。

来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm，探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W，峰值灵敏度波长为3.8µm，响应率为3 X 10^4 V/W，电阻为0.7-1.5 mOhm，时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，带有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm，探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.7-2.5 MΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.75 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.0 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.0 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装，具有2.4µm长通GE滤波器窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管，工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm，灵敏度为0.62A/W（λ=850nm），0.35A/W（λ=1064nm）。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

LED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管，可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm，最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA，光敏度为1 A/W，截止波长（10%水平）为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装，具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。

Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。