• VIS-NIR-DR 宽带光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350-2600nm 决议: < 5nm 测量几何结构: Diffuse illumination, 8° viewing angle 积分球直径: 50mm 积分球入口直径: 10mm

    ARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器,专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪,用于可见光区域的测量,以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并,并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。

  •  VIS-NIR 宽波段光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350nm-2500nm 决议: <1.5nm 光纤输入: 2X SMA-905 单次采集扫描时间: 2 软件接口: Windows 7/10/11

    ARCoptix VIS-NIR 是一款高分辨率、宽波段的光谱仪,覆盖可见光和近红外范围,集成了FT-NIR和光栅光谱仪,用于高分辨率的测量,透射测量、漫反射测量、光源表征和材料识别。

  • 可变螺旋板(VSP) 偏振光学元件
    瑞士
    厂商:ARCoptix
    波长范围: 400-1700nm 拓扑荷: Q=±0.5 宽带波长: 最大波长宽度100nm 径向或方位角偏振: 是 螺旋相位: 是,可调

    Variable Spiral Plate (VSP)可变螺旋板(VSP),在文献中也被称为Q-板,是一种被动液晶光学元件,能够改变均匀偏振光束的空间偏振分布。它透明且损耗、散射或衍射光都很小。适用于各种波长的激光器,生成轨道动量和螺旋波前。

  • 液晶可变相位延迟器(VPR) 偏振光学元件
    瑞士
    厂商:ARCoptix
    相位移范围: 50-1200nm (max. 3000nm) 波长范围: 350-1800nm 有效区域: 科学级: 10mm或20mm (直径); 工业级: 23mm (方形) 传输: 85% (VIS) 延迟材料: 向列液晶,典型值Δn=0.14

    ARCoptix S.A的液晶可变相位延迟器(VPR)是一种透射元件,能在激光工作时提供极小的损耗。其光学延迟(或相位移)可通过简单的实验室替代电源或函数发生器进行电调。该设备能在350nm到1800nm的可见光和近红外区域内工作,且损耗不超过20%。适用于偏振管理、干涉测量和计量等应用。

  • VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/s

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品,供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触,使用地-源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • VM100-850-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHz

    VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现已作为工程样品提供,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源(GSG)微探针或线键进行接触。

  • V50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mA

    V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

  • VM50-940-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA

    这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

  • V25-850-HT 高温稳定VCSEL 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHz

    V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4)阵列作为工程样品提供,用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触,使用地源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性,并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆(AOC),具有高达28 Gbit/s的速率。

  • VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx 单模顶发射VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

  • VM100-910-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶部表面单独接触。

  • V25-940-SG-MA-HP-C1 多孔垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mA

    V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作,适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

  • VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现作为工程样品供应,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源(GSG)微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

  • VM50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nm

    VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

  • VM100-880-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHz

    VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片作为工程样品,可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-940-GSG-Cxx 基垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合单独接触顶面。

  • VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

    VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源(GS)微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

  • VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导,以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触,使用地-源-地(GSG)微探针或金属线键合。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片,支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。