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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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焦距: 76-76.2mm 波长范围: 210-1040nm 波长准确度: ±0.35nm 探测器量子效率: 10-20% (110-400nm), 15-42% (400-930nm), 3-15% (930-1050nm) 决议: 0.13-0.27nm (3600 grating at 25 mic f3.2)
VS7550是一款小型Czerny-Turner光谱仪,具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率,并且可以软件控制狭缝大小、输入f#、阶次分选滤光片、光栅角度和暗曝光。适用于VUV操作,拥有UHV窗口和层流净化系统,可在窗口短波长截止(MgF2为112nm)下运行。光谱仪体积小巧,可手持,并能在5米电缆末端任意方向全面运行。
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焦距: 152.4mm 有效光栅范围: 1200g/mm(110 to 950nm), 2880g/mm(110 to 340nm) 波长分辨率: 0.25nm at 1200g/mm, 0.9nm at 2880g/mm 软件可选狭缝尺寸: 25, 50, 100, 200, 400 microns 软件可选暗快门: Yes
VS150CT是一款紧凑型Czerny-Turner光谱仪,具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率,可通过软件控制狭缝尺寸、输入f#、阶梯滤波器、光栅角度和暗场曝光。该光谱仪具备UHV窗口和层流净化系统,可实现到窗口短波长截止(对于MgF2为112nm)的VUV操作。光谱仪采用可互换的光栅,并可与UHV腔室接口或在长达5米的电缆末端任意方向的台式操作。
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焦距: 305mm/610mm 狭缝宽度: 0-4mm, 0-6mm high 分光器色散: 0.445nm/mm with 3600 G/mm, 0.375nm/mm with 4200 G/mm 分辨率: 0.028nm with 3600 G/mm grating, 0.015nm with 4200 G/mm spectrograph grating with 25mic slits 波长范围: 140 to 550nm with 3600 G/mm gtg, 140 to 420 with 4200 g/mm grating
RamSPEC-VUV是首款可用于VUV光谱区的商业拉曼光谱仪,也是首款能在177-190nm的VUV范围内测量拉曼散射信号的仪器。该系统设计允许不同光栅排列之间的可互换性,以实现最佳配置。其相对较小的尺寸和标准连接也使其成为几乎任何系统的理想选择。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W
PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器,基于精密的HgCdTe异质结构,以获得最佳性能和稳定性,并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下(约0.9µm)的最佳波长λopt下进行了优化。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W
PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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光源功率模块: 100-240V 单色仪焦距: 200mm 单色仪光栅线数: 1200l/mm 光栅尺寸: 40x45mm 单色仪光栅F值: 4.2
Resonance Ltd.的TRSES200是一种用于将真空紫外(VUV)到紫外(UV)辐射传输到目标样品并测量目标反射率、透射率或荧光的评估系统。该系统包括一个从115nm到400nm发射的氘灯、一个200mm焦距的真空单色仪,配备PC控制的电机驱动,以及一个能够检测从115到320nm的Hamamatsu R8486光电倍增管(PMT),LabviewTM软件和控制电子设备。适用于科研和工业光谱测量,具备高精度、宽光谱范围和用户友好的操作界面。
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可用灯泡: Krypton or Xenon 氪的峰值波长: 116.5, 123.6, 145 NM 氙的峰值波长: 147, 172 NM 氪的VUV强度: 1x1017 Ph/sec./st. 氙的VUV强度: 2x1017 Ph/sec./st.
Resonance Ltd.的RD-18-06是射频驱动的灯系统,是一款可靠且无需维护的高强度深紫外线(VUV)发光源,发射波长在116至200纳米之间。该源头可安装到4.5英寸CF法兰上,便于与高真空系统连接。灯具可重新进入,以实现最佳定位。通过MgF2窗口为真空应用提供超过100毫瓦/球面度的VUV通量,如光电离飞行时间质谱分析。灯泡可互换,便于更换。温控高速风扇无需水冷即可散热。通常情况下,该源头会使用氪或氙灯泡,这些灯泡可互换,也可根据客户需求提供其他灯泡或填充压力。适用于高真空系统和光电离飞行时间质谱分析。