• C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • EXACTD-332 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

  • QSPDI-28 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:QPhotonics
    波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W

    来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管,波长范围为630至1650 nm,电容为100至140 PF,暗电流为1至2 nA,响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息,请联系我们。

  • APD28A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Macom
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1250 to 1650 nm RoHS: Yes

    Macom的APD28A是一款光电二极管,波长范围为1250至1650 nm,带宽为20 GHz,电容为40 PF,暗电流为1000 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息,请联系我们。

  • 1010BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为900 PF,暗电流为0.16至10 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • 33BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为50 PF,暗电流为0.02至0.05 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • 55BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 暗电流: 0.04 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为200 PF,暗电流为0.04至2 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • A2V-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。

  • A2V-76 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的A2V-76是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为160 PF,响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。

  • A5C-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-35是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。

  • A5C-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息,请联系我们。

  • A5V-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。

  • A5V-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为340 PF,响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为1000 MHz,电容为1.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为900 MHz,电容为3 PF,暗电流为0.1至1 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为600 MHz,电容为6 PF,暗电流为0.2至2 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-TO5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息,请联系我们。

  • CD-1705 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CD-1705是波长范围为850nm、电容为70pF、响应度/光敏度为0.55至0.60A/W、上升时间为2000ns的光电二极管。有关CD-1705的更多详细信息,请联系我们。

  • CD-25T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 20 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CD-25T是波长范围为970nm、电容为50pF、暗电流为20nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为18ns的光电二极管。有关CD-25T的更多详细信息,请联系我们。