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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。UPD-70-IR2-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nAAlphaLas公司的UPD-70-IR2-P是一种光学探测器，波长范围为800~1700nm，上升时间为70ps，暗电流为0.8nA，带宽为5GHz，有源区直径为0.005mm.UPD-70-IR2-P的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/WFreedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为30至35 GHz，响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/WFreedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为60至65 GHz，响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/WFreedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器，波长范围为850 nm，暗电流为50 pA，带宽为2至3 GHz，响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W，有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nAOSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 暗电流: 0.04 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为200 PF，暗电流为0.04至2 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/WOSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。
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