• QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: QD7-0: 0.2 nA (min), 0.47 nA (typ) | QD50-0: 0.54 nA (typ) 反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 电容: QD7-0: 15.0 pF (typ) at 0 V | QD50-0: 30.0 pF (typ) at 0 V

    QD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列,用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外,所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用。可以实现非常精确的光束对齐,并且电路也可以用于目标获取和对齐。

  • PIN-4X4D/UDT-4X4D 4x4硅光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 峰值波长: 632nm(PIN-4X4D), 810nm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 电容: 75pF(PIN-4X4D), 35pF(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D)

    PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列,具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应,具有快速响应和极低串扰的特点。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FEMTO PLUS GRATINGS系列光纤光栅阵列 光纤布拉格光栅
    反射率: >5%, >20%, >40% 波长: 1460-1640nm 波长精度: +/- 0,3nm 带宽[nm]: 0,30nm, 0,25nm, 0,20nm 侧模抑制比[dB]: >12 dB, > 15 dB

    FEMTO PLUS GRATINGS是一系列根据客户规格生产的光纤光栅阵列产品。它们通过与engionic Group合作,可以提供校准和组装的传感器以及包括传感器和询问系统的完整传感解决方案。

  • Temperature Sensors 光纤温度传感器 光纤布拉格光栅
    温度范围: -30 to 700°C 波长: 1,460nm to 1,620nm 反射率: ~50% 侧模抑制比[dB]: > 15dB 带宽[nm]: ~0.3nm

    engionic Fiber Optics GmbH的Temperature Sensors Fiber Optics能够进行长达20公里以上的温度监测。光纤温度传感器具有对电磁干扰免疫、高灵敏度和快速响应温度变化、结构坚固和高物理稳定性的特点。适用于单点传感系统和多点传感器阵列系统,以实现高空间分辨率,最小化布线和空间要求,能够在不需要放大的情况下进行长距离(>20km)传输,并可以实时绘制出准确和分布式的温度剖面图。