AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块，封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗（wZnSeAR），防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供（仅带探测器元件的PCB板），安装在TO8子安装架上，或安装并密封在带窗的TO8封装中。

32EM-5是一系列32通道检测模块。热电冷却的中波红外32元件HgCdTe光伏探测器与直流耦合32通道跨阻前置放大器集成。具有高灵敏度和高速响应，适用于光谱学、非接触温度测量等应用。

Arcoptix独特的偏振转换器能够将线性偏振光束转换为具有完美径向或方位角偏振分布的光束。该系统适用于400 nm到1700 nm的波长范围，具有20%-30%的损耗。该产品紧凑且易于集成到光学设置中。

ARCOPTIX FT-MIR ROCKET是一款高性能、紧凑且可靠的光谱仪，非常适合中红外的各种应用。该光谱仪通过自制的可更换干燥剂胶囊有效降低了干涉仪体积中的CO2或H2O浓度。凭借其永久对准的干涉仪和固态参考激光器，FT-MIR ROCKET在强度和波长尺度上提供了出色的稳定性。

ARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器，专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪，用于可见光区域的测量，以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并，并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。

ARCoptix S.A的液晶可变相位延迟器（VPR）是一种透射元件，能在激光工作时提供极小的损耗。其光学延迟（或相位移）可通过简单的实验室替代电源或函数发生器进行电调。该设备能在350nm到1800nm的可见光和近红外区域内工作，且损耗不超过20%。适用于偏振管理、干涉测量和计量等应用。

pT-100 是一种用于透射照明的 LED 解决方案，提供四种变体：宽白光输出（pT-100-WHT）以及三种窄波段输出（pT-100-525、pT-100-635、pT-100-770）。它具有即开即关和强度控制功能，提供直接安装或液体光导传输的选项。适用于明场、暗场、DIC和相衬应用。

pE-340fura是一款专为Fura-2比率钙成像设计的定制LED照明器，同时支持日常荧光显微镜应用。该系统提供340 nm和380 nm的LED照明，能够实现高精度、稳定和高通量的成像，具有视频速率时间分辨率。适用于心肌细胞成像。

VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。

V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。