-
波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nAOSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 暗电流: 0.04 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为200 PF，暗电流为0.04至2 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/WOSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。
-
波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/WOSI Laser Diode，Inc.的A2V-76是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5C-35是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5C-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的CD-1705是波长范围为850nm、电容为70pF、响应度/光敏度为0.55至0.60A/W、上升时间为2000ns的光电二极管。有关CD-1705的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 20 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的CD-25T是波长范围为970nm、电容为50pF、暗电流为20nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为18ns的光电二极管。有关CD-25T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 30 pF 暗电流: 500 to 600 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至30 PF，暗电流为500至600 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.有关DL-10的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 375 pF 暗电流: 500 to 5000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-10C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至375 PF，暗电流为500至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DL-10C的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10 to 14 pF 暗电流: 30 to 175 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为10至14 PF，暗电流为30至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.下面可以看到DL-2的更多详细信息。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 14 pF 暗电流: 2000 to 175 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至14 PF，暗电流为2000至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.有关DL-20的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 1500 pF 暗电流: 2000 to 12000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-20C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至1500 PF，暗电流为2000至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DL-20C的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 暗电流: 50 to 400 nA
OSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 暗电流: 100 to 1000 nA
OSI Laser Diode，Inc.的DLS-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为580至725 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-20的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 375 pF 暗电流: 10 to 5000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-2S是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至375 PF，暗电流为10至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-2S的更多详细信息，请联系我们。
产品选型就用光电查
个人中心
退出登录