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  • NTE3120 光电晶体管
    NTE3120
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自NTE Electronics，Inc的NTE3120是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为0.01至1 uA，集电极发射极电压（饱和）为1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3123 光电晶体管
    NTE3123
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3123是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流10 uA，集电极发射极电压（饱和）1 V，导通状态集电极电流0.2至0.8 mA，功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW36 光电晶体管
    BPW36
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW37 光电晶体管
    BPW37
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的BPW37是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW37的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW38 光电晶体管
    BPW38
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

    来自Light In Motion的BPW38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW38的更多详细信息，请联系我们。

  • L14C1 光电晶体管
    L14C1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14C1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.16 mA，功耗300至600 MW.有关L14C1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14C2 光电晶体管
    L14C2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.08 mA，功耗300至600 MW.有关L14C2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14F1 光电晶体管
    L14F1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14F1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14F2 光电晶体管
    L14F2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G1 光电晶体管
    L14G1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G2 光电晶体管
    L14G2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14G2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G3 光电晶体管
    L14G3
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N1 光电晶体管
    L14N1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N2 光电晶体管
    L14N2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P1 光电晶体管
    L14P1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P2 光电晶体管
    L14P2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14P2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为13 mA，功耗为300至600 MW.有关L14P2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U1 光电晶体管
    L14U1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14U1是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U2 光电晶体管
    L14U2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请联系我们。

  • QLTP660CPD 光电晶体管
    QLTP660CPD
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Miniature Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA156 光电晶体管
    QSA156
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA156是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA156的更多详细信息，请联系我们。