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  • OP801SL 光电晶体管
    OP801SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情，请联系我们。

  • OP801WSL 光电晶体管
    OP801WSL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情，请联系我们。

  • OP802SL 光电晶体管
    OP802SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2 mA至5 mA，功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情，请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管
    OP802WSL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管
    OP803SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请联系我们。

  • OP804SL 光电晶体管
    OP804SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请联系我们。

  • OP805SL 光电晶体管
    OP805SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请联系我们。

  • XRNI12W 光电晶体管
    XRNI12W
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息，请联系我们。

  • XRNI30W-1 光电晶体管
    XRNI30W-1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息，请联系我们。

  • XRNI82B 光电晶体管
    XRNI82B
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息，请联系我们。

  • XZRNI45S 光电晶体管
    XZRNI45S
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi45S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi45S的更多详细信息，请联系我们。

  • XZRNI56W-1 光电晶体管
    XZRNI56W-1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE30133 光电晶体管
    NTE30133
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3031 光电晶体管
    NTE3031
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3032 光电晶体管
    NTE3032
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3032是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）80 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3034A 光电晶体管
    NTE3034A
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3035A 光电晶体管
    NTE3035A
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3036 光电晶体管
    NTE3036
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3037 光电晶体管
    NTE3037
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3039 光电晶体管
    NTE3039
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：NTE Electronics, Inc
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。