• SAH-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD,波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm,有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装,是测距和光通信系统的理想选择。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • FD11A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF 暗电流: 2 pA

    Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns,有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。

  • SM05PD3A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 140 pF 暗电流: 20 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05(Ø0.535-40)外螺纹管中,响应度为0.60 A/W.

  • KPM100 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

  • VEMT3700F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • TIA-525S-FC 光电转换器
    英国
    分类:光电转换器
    光纤模式: Single Mode, Multi-Mode 设备类型: Module 光/输入功率: 1.2 W 带宽: 35 to 125 MHz 探测器类型: Silicon, InGaAs

    来自Laser 2000(UK)Ltd.的TIA-525S-FC是光/输入功率为1.2 W、波长范围为硅:400至1000 nm、InGaAs:850至1700 nm、带宽为35至125 MHz的光电转换器。有关TIA-525S-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • TIA-525S-ST 光电转换器
    英国
    分类:光电转换器
    光纤模式: Single Mode, Multi-Mode 设备类型: Module 光/输入功率: 1.2 W 带宽: 35 to 125 MHz 探测器类型: Silicon, InGaAs

    Laser 2000(UK)Ltd.的TIA-525S-ST是一种光电转换器,光/输入功率为1.2 W,波长范围为硅:400至1000 nm,InGaAs:850至1700 nm,带宽为35至125 MHz.有关TIA-525S-ST的更多详细信息,请联系我们。

  • microCELLTM OTF高通量激光加工系统 激光器模块和系统
    德国
    厂商:3D Micromac

    3D-Micromac的MicroCellTM OTF是一种用于加工单晶硅和多晶硅太阳能电池的高效激光系统。MicroCellTM OTF通过精确的表面结构、低运营成本和较高的可用性,满足了电池制造商提高PERC太阳能电池效率的需求。即时激光处理和创新的处理概念可在大规模生产晶体太阳能电池时实现较大的吞吐量和产量。非接触式单元处理能够实现没有表面缺陷或微裂纹的处理。 产品应用:破损控制/NiO放电;RFID阅读器;数据矩阵读取器(DMC);晶片缓冲系统;MES系统;客户规范中的装卸搬运;分束器 产品关键指标:非接触式晶圆传输;吞吐量>3800 WPH;激光器工作时间>98%;占地面积最小;维护和服务的直接访问

  • SiBrickScan (SBS) 光谱分析仪
    德国
    分类:光谱分析仪

    布鲁克公司的 SiBrickScan (SBS) 是一种专用的在线系统,用于对完整硅锭中的间隙氧进行傅立叶变换红外定量,从而得到沿纵轴的浓度曲线。无需锯开硅片或测试样品即可获得这些信息,这被认为是节省成本的一大优势。

  • CryoSAS 光谱分析仪
    德国
    分类:光谱分析仪

    布鲁克光学公司的低温硅分析系统 (CryoSAS) 是用于硅的低温(<15K)杂质分析的一体化系统。CryoSAS 可在工业环境下运行。 CryoSAS 将布鲁克公司的高性能傅立叶变换红外光谱仪与无需液氦的集成式封闭循环低温冷却方法相结合。CryoSAS 的所有组件都非常精密,利用成熟的技术在充满挑战的硅生产环境中完成高难度分析。 CryoSAS 可实现高度自动化操作,包括准确报告分析结果。

  • DS-006-I-Y-A 分束器
    以色列
    分类:分束器
    厂商:Holo/Or
    波长范围: 1064 nm 镀膜材料: AR/AR涂层

    输入参数包括:波长、光束模式和最小光束直径。 输出参数包括:光斑数量、分离角和传输效率等。 元件类型为:窗口。 材料为:熔融硅。 尺寸为:25.4mm。 清晰孔径为:22.9mm。 厚度为:3mm。 涂层为:AR/AR涂层。 输出参数中的光斑数量为:2。 分离角为:2.54度。 传输效率接近:100%。 总体效率为:79%。 均匀性(对比度)小于:1%。 零级相对于入射光束小于:2%。

  • MS-049-I-Y-A 分束器
    以色列
    分类:分束器
    厂商:Holo/Or
    波长范围: 1064 nm 镀膜材料: AR/AR涂层

    该产品是一种光学元件,具有1064纳米波长、SM或MM光束模式、最小光束直径大于0.26毫米等特点。元件类型为窗口,材料为熔融硅,尺寸为25.4毫米,清晰孔径为22.9毫米,厚度为3毫米,涂层为AR/AR涂层。输出参数包括7x7个斑点,分离角为0.70x0.70度,传输效率接近100%,总体效率为76%,均匀性(对比度)小于12%,零级相对于平均值的比例为0-100%。

  • MS-608-I-Y-X 分束器
    以色列
    分类:分束器
    厂商:Holo/Or
    波长范围: 1064 nm 镀膜材料: AR/AR涂层

    光学元件MS-608-I-Y-X,包括输入参数和输出参数。输入参数包括波长、光束模式和最小光束直径。输出参数包括光斑数量、分离角、传输效率、整体效率、均匀性等。特点包括窗口类型、材料为熔融硅、尺寸为25.4毫米、清晰孔径为22.9毫米、厚度为3毫米、涂层为AR/AR涂层等。零级相对于平均值的百分比为90-110%,可以使用TCPDF进行优化。

  • 光电倍增管 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3

    我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT,这些 PMT 体积小巧轻便,同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合,将硅基板与玻璃基板连接在一起,因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。

  • AWG 100GHz AAWG48通道 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:AC Photonics
    工作波长: 1528.773 - 1566.314 通道间距: 100GHz 通道数量: 16, 32, 40 and 48 波长稳定性: ± 0.05nm 通道通带: ± 0.10nm

    ACPhotonics的Athermal AWG(AAWG)产品采用硅基平面技术,具有高性能和可靠性,可用于一般DWDM系统。基于无热设计和封装,它是完全被动的产品,不需要任何电力或温度控制。对于100G AAWG Mux/Demux,它支持基于单个芯片组的高达48通道,提供高斯或平顶轮廓作为选项。适用于电信和接入网络。

  • AC Photonics系列 16和32通道的无热自适应波长光分复用器 波分复用 (WDM)
    美国
    厂商:AC Photonics
    通道带宽: ≥0.48nm 插入损耗(最大): ≤6.0dB 通道均匀性: ≤1.5dB 通道波动: ≤0.60dB 通道隔离(相邻): ≥13dB

    AC Photonics的无热AWG(AAWG)产品采用二氧化硅在硅平面技术制造,具有高性能和可靠性。适用于DWDM网络、电信和接入网络,具备高性能和可靠性。

  • CERMAC® vs. SiC高性能的光电材料 光学材料
    德国
    分类:光学材料
    厂商:Abariscan GmbH
    密度: 2.51g/cm3 弹性模量: 445GPa 抗弯强度: 375MPa 热膨胀系数@25°C: 5.5×10-6/K 表面粗糙度: <0.5nm

    CERMAC® vs. SiC是一种高性能的光电材料,具有优异的物理和化学特性。 一、重量方面,与碳化硅(SiC)相比更轻。 二、刚度方面,比碳化硅具有更高的刚度。高刚度材料在承受外力时变形较小,能够保持结构的稳定性和精度。 三、毒性方面,与铍(Be)相比,该材料无毒。。 四、热稳定性方面,比铍更具热稳定性。 五、设计与生产方面,定制化设计:可以根据客户的特定需求进行定制化设计,满足不同应用场景的独特要求。 六、加工性能方面,与铍和碳化硅相比更容易抛光。。