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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF
Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。
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模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon
Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。
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3D-Micromac的MicroCellTM OTF是一种用于加工单晶硅和多晶硅太阳能电池的高效激光系统。MicroCellTM OTF通过精确的表面结构、低运营成本和较高的可用性,满足了电池制造商提高PERC太阳能电池效率的需求。即时激光处理和创新的处理概念可在大规模生产晶体太阳能电池时实现较大的吞吐量和产量。非接触式单元处理能够实现没有表面缺陷或微裂纹的处理。 产品应用:破损控制/NiO放电;RFID阅读器;数据矩阵读取器(DMC);晶片缓冲系统;MES系统;客户规范中的装卸搬运;分束器 产品关键指标:非接触式晶圆传输;吞吐量>3800 WPH;激光器工作时间>98%;占地面积最小;维护和服务的直接访问
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密度: 2.51g/cm3 弹性模量: 445GPa 抗弯强度: 375MPa 热膨胀系数@25°C: 5.5×10-6/K 表面粗糙度: <0.5nm
CERMAC® vs. SiC是一种高性能的光电材料,具有优异的物理和化学特性。 一、重量方面,与碳化硅(SiC)相比更轻。 二、刚度方面,比碳化硅具有更高的刚度。高刚度材料在承受外力时变形较小,能够保持结构的稳定性和精度。 三、毒性方面,与铍(Be)相比,该材料无毒。。 四、热稳定性方面,比铍更具热稳定性。 五、设计与生产方面,定制化设计:可以根据客户的特定需求进行定制化设计,满足不同应用场景的独特要求。 六、加工性能方面,与铍和碳化硅相比更容易抛光。。