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水晶类型: AgGaSe2 (Silver Gallium Selenide), AgGaS2 (Silver Gallium Sulfide) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Unmounted 平整度: <= Lambda/8 表面质量: Not Available
银硫化镓(AgGaS2)和银亚硒酸镓(AgGaSe2)晶体由于其在中红外和深红外区域具有大的非线性光学(NLO)系数和高透射率而在中红外和深红外(IR)应用中引起了特别的兴趣。AgGaS2的相位匹配和透射特性允许在中红外和近红外波段发生三波相互作用,AgGaS2已被用作3-10 mm红外输出的有效非线性光学晶体,特别适用于Nd:YAG激光泵浦的OPO器件,钛宝石或Nd:YAG激光泵浦的OPO输出的混频,以及染料和钛宝石或其他激光光源与Nd:YAG激光器的混频。AgGaS2也被证明是一种有效的红外辐射倍频晶体,如CO2激光器的10.6mm输出。
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水晶类型: AgGaS2 (Silver Gallium Sulfide) 相位测量类型: Type I 安装: Unmounted 宽度: 5mm 高度: 5mm
AgGaS2(AGS)晶体在0.50-13.2μm范围内是透明的。在Nd:YAG激光泵浦的OPO中,利用AGS晶体在550nm处的高短波长透过率边缘;在大量的DIOD差频混频实验中;覆盖3-12um范围的钛宝石、Nd:YAG和红外染料激光器;用于直接红外对抗系统;AGS晶体也是CO2激光器SHG的一种选择。薄的AgGaS2(AGS)晶体板在通过使用近红外波长脉冲的差频产生中红外范围的超短脉冲产生中很受欢迎。AGS尺寸:标准外尺寸:8x8mm和5x5mm,厚度为1.0-30.0mm
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水晶类型: BBO (Beta Barium Borate) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Unmounted 宽度: 4mm 高度: 4mm
BBO(β-BaB2O4)是一种优良的非线性晶体,可用于可见光和近红外激光的倍频(SHG),近红外到紫外波长的超快脉冲泵浦的OPO/OPG/OPA,以及可见光到深紫外的和频(SFM)。BBO晶体是少数几种可用于500 nm以下倍频和自聚焦的实用晶体之一,具有宽的可调性、高的损伤阈值和高的效率。BBO的小接收角需要非常好的光束质量,并且其大的走离导致非常椭圆或狭缝状的输出光束。I型操作通常比II型操作更有效。BBO不能用于NCPM(温度调节)应用。BBO是一种非常好的可调谐激光光源,如超快钛宝石或染料激光器,也广泛用于飞秒和皮秒钛宝石激光器的倍频、3HG、4HG和自相关。1064nm和1320nm的YAG激光器的倍频、3Hg、4Hg、5Hg,以产生212-660nm的输出;从410-750nm可调谐染料或固态激光源的SHG以产生205-375nm的输出,染料激光和YAG谐波的SFM以产生189-400nm的输出;DFM(差频混合)从可见光到高达超过3000nm的IR范围;用YAG或Ti:Sapphire的SHG或3HG泵浦的OPO,输出范围为400-3000;氩离子激光器(488,514nm)或铜蒸气激光器(510nm,578nm)的腔内SHG。
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水晶类型: BBO (Beta Barium Borate) 相位测量类型: Type I, Type II 安装: Unmounted 宽度: 4mm 高度: 4mm
BBO(β-硼酸钡,β-BaB2O4)是一种非线性光学晶体,具有许多独特的特性:从409.6nm到3500nm宽相位匹配范围从190nm到3500nm的宽透明区域非线性系数大(约为KDP晶体的6倍)高损伤阈值(10GW/cm²@1064nm,100ps脉冲)高光学均匀性,DN≈10-6/cm约55°C的宽温度带宽(类型1 SHG 1064 nm)对于不同的应用,BBO晶体具有许多优点:Nd:YAG和Nd:YLF激光器的谐波产生(SHG、THG、FHG和5HG)钛宝石和紫翠宝石激光器的谐波产生(SHG,THG,FHG)染料激光器的倍频、三倍频和混频氩离子铜蒸气激光器的倍频光参量放大器(OPA)和光参量振荡器(OPO)用于普克尔盒的电光(E/O)开关晶体
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分类:电光调制器(EOM)孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm 变速箱: 98% 消光比: >= 1000:1
BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态,当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比,因此,较小的孔径,较低的四分之一波电压,此外,具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-
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成像模式: Diffuse Reflectance (DR), Photoluminescence (PL), Electroluminescence (EL) 激发波长: Not Available 光谱范围: Not Applicable 光谱范围: 400 - 1000 nm, 500 - 1100 nm, Custom 光谱分辨率: Not Applicable
CHAI V-2048基于较新的完全耗尽、背照式极端性能FBXImage传感器技术。这种高光谱成像仪非常适合需要高SNR和较宽可用扫描带的科学应用。低失真、全反射前光学系统使该仪器成为海岸测深和地形激光雷达的理想合作伙伴。CHAI V-2048用于较具挑战性的地球科学活动。