Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

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近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

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QUANTAS-Q2-355是来自Quantum Light Instruments的高能量Q开关355nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷Q开关系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于短激光腔和Nd：YAG晶体的出色热性能，QUANTAS-Q2-355可提供20mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-355激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

QUANTAS-Q2-527是来自Quantum Light Instruments的高能量调Q 527nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于Nd：YAG晶体的短激光腔和出色的热性能，QUANTAS-Q2-527可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-527激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

QUANTAS-Q2-532是Quantum Light Instruments推出的一款高能量调Q 532nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于激光腔较短且Nd：YAG晶体具有出色的热性能，QUANTAS-Q2-532可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-532激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

我们Microchip系列的SB1-1064-15-15是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、10 kHz–15 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号，进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计，Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时，SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置，范围从236.5nm到1064nm，提供高达80µJ的脉冲能量，脉冲持续时间从几ns到350ps，工厂设置的重复率从单次到100kHz，并且能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换，在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口，使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

我们的Microchip系列的SB1-1064-2-100是一款短纳秒脉冲、2uJ、低SWAP、超紧凑、100 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用，能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器，可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可进行定制，以满足各种应用要求。Microchip激光器系列目前在该领域拥有超过3，000台设备，已被证明是一种多功能、可靠的激光器解决方案，适用于从天基LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。