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暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: SapphireVIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA（焦平面阵列）采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术，从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。
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冷却红外中波红外探测模块，采用VIGO Photonics S.A. 独特技术，提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列，具有可靠的探测性能，适用于苛刻应用。
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扭曲角度: 45°或90°（可定制） 扭曲精度: ±1° 输出椭圆度: 0.1%-10%（取决于型号和波长） 波长范围: 350-1800 nm 有效区域: 10 mm或20mm（直径）Achromatic switchable polarization rotator是一种液晶偏振旋转器，适用于科学和工业应用，具有大接受角度和宽光谱范围。液晶扭曲向列型（TN）偏振旋转器是一种非常有用的设备，可以将线性偏振的方向固定旋转通常为45°或90°。
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性能: 340 nm & 380 nm LED照明系统 保修: 系统=36个月，LED=36个月（340 nm LED保修3000小时累计使用） 环境与安全: 环保节能，无汞无激光，长寿命，无需更换灯泡，降低眼睛损伤风险，安静运行 控制与接口: 手动：手动控制模块，远程：通过全球和单独通道TTL <20 μs全功率，连接性：通过USB（B型）远程连接以进行成像软件控制，序列运行器：单TTL输入以步进用户定义的序列，<20 μs全功率 电源要求: 100-240 VAC, 50.60 Hz, 1.4 ApE-340fura是一款专为Fura-2比率钙成像设计的定制LED照明器，同时支持日常荧光显微镜应用。该系统提供340 nm和380 nm的LED照明，能够实现高精度、稳定和高通量的成像，具有视频速率时间分辨率。适用于心肌细胞成像。
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光谱覆盖范围: 365-635nm 功率要求: 100-240V a.c. 50/60Hz 待机功耗: 2W 全部波长功耗: 80W 光源尺寸: 243mm(w) x 102mm(d) x 197mm(h)pE-400系列是一款可控的LED显微镜照明系统，包括pE-400和pE-400max两个型号，提供从365nm到635nm的广谱覆盖，适用于从日常荧光到高级荧光应用。
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光源: pE-4000 光传输: 单液体光导或光纤选项 准直光学器件: pE-Universal Collimator LED波长: 365nm-770nm 控制与接口: USB, 4 TTL inputs, 4 TTL outputs, 4 Analog inputs, 4 Analog outputspE-4000是一款灵活的显微镜照明系统，提供4个通道和16个可选择的波长，能够通过控制功能延长细胞荧光，减少光漂白和光毒性。适用于细胞活力实验、长时间活细胞实验和光遗传学实验。
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触发速度: <7µs 光谱范围: 340-635nm (pE-800fura), 365-740nm (pE-800) 控制与接口: USB 2.0, TTL, RS-232 输入电压: 100-240V a.c. 50/60Hz 功率: 最大127W（8通道100%辐照度）pE-800系列提供了8通道LED照明，适用于钙成像、pH成像、比率测量以及日常荧光应用。该系列包括pE-800fura和pE-800型号，分别覆盖340-635nm和365-740nm的光谱范围，提供快速控制和高质量数据。适用于钙成像、pH成像、比率测量及日常荧光应用，具有快速控制和高质量数据。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mAV50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。
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发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mAV25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。
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发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/sVM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。
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