• FPV976P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Quantum Well 波长: 975 to 976 nm 输出功率: 15 to 30 mW 工作电流: 400 mA 阈值电流: 50 to 70 mA

    Thorlabs的FPV976P是一款单频、波长稳定的激光二极管,工作波长为976nm.它基于量子阱外延层生长和具有外部体全息光栅(VHG)反馈的高度可靠的脊波导结构。这款单频激光二极管采用蝶形封装,内置光隔离器、监控二极管、TEC和热敏电阻,可对激光器进行温度控制。该激光二极管在大约15至30mW的工作功率范围内产生具有单频窄线宽的波长稳定光谱。输出耦合到1.0米的FC/APC端接的PM980-XP光纤。

  • L1064H1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 1054 to 1074 nm 输出功率: 300 mW 工作电流: 700 to 750 A

    Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管,工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW,斜率效率为0.46W/A,垂直发散角(FWHM)为13.5°,横向发散角(FWHM)为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V,阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术,具有脊形波导结构。激光二极管采用Ø9 mm TO-CAN封装。

  • 9025-02-008 半导体激光器
    英国
    厂商:Global Laser Ltd
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 34 to 50 mA

    来自Global Laser Ltd的9025-02-008是具有量子阱结构的MOCVD生长的635nm波段InGaAs激光二极管。它是一种有吸引力的光源,典型的光输出功率为5mW.该二极管是一种单模、单频激光器,采用TO-18封装。

  • QLF083A-50B0/QLF083D-50B0 半导体激光器
    英国
    光输出功率: 220 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 20 V 操作温度: -10 to 60 °C 储存温度: -40 to 85 °C

    QLF083A-50B0/QLF083D-50B0是850 nm量子阱激光器,专为高输出功率应用设计,激光二极管安装在TO-56封装中,包含监测光电二极管,并用平面玻璃盖密封。

  • QLF063A / QLF063D 半导体激光器
    英国
    光输出功率: 100 mW 脉冲光输出功率: 300 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 30 V 操作温度: -10 to 60 °C

    QLF063A/QLF063D是660 nm量子阱激光器,设计用于高输出功率应用。激光二极管安装在TO-56封装中,包括监测光电二极管,并用平玻璃盖密封。

  • QLF063A-85A0 / QLF063D-85A0 半导体激光器
    英国
    光输出功率: 105mW 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 操作温度: -10 to 70°C 储存温度: -40 to 85°C

    QLF063A-85A0/QLF063D-85A0是685 nm量子阱激光器,专为高输出功率应用设计。激光二极管封装在TO-56外壳中,包含监测光电二极管,并用平面玻璃盖密封。

  • DPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • DPGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。