• BXP-35E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter

    Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXT2S-68TE 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • NXIR-RF100C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管,工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm,灵敏度为0.62A/W(λ=850nm),0.35A/W(λ=1064nm)。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

  • SXUV100TF135 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管,工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩,可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

  • SM05PD3A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 140 pF 暗电流: 20 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05(Ø0.535-40)外螺纹管中,响应度为0.60 A/W.

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • AQ6360 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.2 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to ±0.10 nm 光纤模式: Multi Mode, Single Mode 动态范围: 55 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6360是一款光谱分析仪,非常适合激光、光学收发器和光学放大器等电信设备的工业制造。它的波长范围为1200至1650纳米,基于衍射光栅技术。该分析仪具有20至-80 dB的宽测量范围和55 dB的动态范围。它支持单模和多模光纤。OSA具有内置分析功能以及以太网和GPIB远程接口。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

  • MS9740B 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±20 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 42 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    MS9740B是一款光谱分析仪,工作波长范围为600 nm至1750 nm,可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围,测量处理时间小于0.35S(扫描30nm波长)。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度,并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比(SMSR)测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入,是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式,包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器(NF和增益)和WDM滤波器。

  • 771 Series Laser Spectrum Analyzer 光谱分析仪
    美国
    分类:光谱分析仪
    波长精度: ± 0.2 ppm(771A), ± 0.75 ppm(771B) 扫描时间: 1 to 2 sec 光功率范围: 0.003 to 2.0 µW 测量单位: nm, µm, cm-1, GHz, THz 谱带: VIS, NIR, IR, Mid-IR

    Bristol Instruments的771系列激光光谱分析仪的工作范围为375 nm至12µm.这些系统将基于迈克尔逊干涉仪的成熟技术与快速傅里叶变换分析相结合,可精确测量绝对波长至±0.0001 nm,高分辨率光谱分析至2 GHz,光抑制比(ORR)超过40 dB.有两种型号可供选择:771A型是最精确的型号,测量波长的精度为百万分之±0.2(1000 nm时为±0.0002 nm);771B型是价格较低的替代型号,精度为百万分之±0.75(1000 nm时为±0.0008 nm)。它们可用于四种宽波长配置,以满足几乎任何实验要求。这些范围是可见光(375-1100 nm)、近红外(520-1700 nm)、红外(1-5µm)和中红外(1.5-12µm)。该系统使用CW激光器进行操作,并且特殊的测量算法使得能够使用重复率大于50kHz且脉冲长度大于50ns的脉冲激光器进行操作。

  • 86120D 光波长计
    美国
    分类:光波长计
    纤芯直径: 9/125 µm 光纤模式: Single Mode 工作模式: CW Lasers 波长范围: 700 to 1700 nm 波长显示单元: nm, cm-1, THz

    是德科技(Keysight Technologies)的86120D是一款光学波长计,工作波长范围为700至1700 nm(176至428 THz)。校准精度为±0.6 dB,平坦度为±0.2 dB,线性度为±0.3 dB.该光波长计可处理-20至-40 dBm的单线输入和30 dB的多线输入。它的回波损耗为35-50 dB,测量周期为0.6 s.该光学波长计需要100/115/230/240 V的交流电源,功耗为310 W.86120D是一款基于迈克尔逊干涉仪的仪器,可测量指定波长范围内激光的波长和光功率。它有一个内置的HeNe激光器,可以保证根据自然标准进行精确的绝对波长测量。该光学波长计可以执行多条激光线的同时测量,并且允许测量DWDM信号和法布里-珀罗激光器的多条线。它具有宽带模式,用于测量较宽线路的加权中心,并具有针对光信噪比、波长和功率漂移的内置应用程序,可实现具有紧凑基底面的智能独立测试解决方案,并避免成本高昂的测试程序开发。这款光学波长计的封装尺寸为138 X 425 X 520 mm.它具有用于光学输入和LAN的9μm/125μm单模光纤、用于键盘和鼠标的PS/2、用于外部显示器的SVGA和DVI、GPIB、USB和AC线路连接器。

  • 438 Series 光波长计
    美国
    分类:光波长计
    纤芯直径: 9/125 µm 光纤模式: Single Mode 工作模式: CW Lasers 波长范围: 1270 to 1680 nm 波长显示单元: nm, cm-1, THz

    布里斯托尔仪器公司(Bristol Instruments)的438系列多波长测量仪的工作范围为1000至1680 nm,涵盖C、L、T和O光学波段。它可以同时测量多达1000个离散光信号的波长、功率和信噪比(OSNR)。该器件的波长测量精度可达±0.3 pm,功率测量精度可达±0.5 dB.438系统自动计算大于40 dB的OSNR.它具有-40 dBm的高灵敏度和自动增益控制,并具有10 Hz的最快测量速率,以减少测试时间。方便的触摸屏显示器以多种格式报告测量数据。它的预热时间不到15分钟。波长计的系统尺寸为89 mm X 432 mm X 381 mm,重量为7.65 kg.438多波长测量仪有两个版本。438A型是最精确的,测量波长可达±0.3 pm.对于不太严格的测试要求,438B型是一种价格较低的替代产品,波长精度为±1.0 pm.