Genuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管，波长范围为240至370 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息，请联系我们。

Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。

Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。

Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。

Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。