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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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材料: silica 芯直径: 50 ± 3 / 79 ± 3 / 100 ± 3 / 165 ± 2 / 180 ± 3 / 198 ± 3 网厚(纳米): 155 ± 15 / 280 ± 20 / 500 ± 100 / 360 ± 20 / 270 ± 50 / 550 ± 100 包层直径: 80 ± 5 / 126 ± 3 / 160 ± 5 / 265 ± 5 / 290 ± 5 / 320 ± 5 涂层外径(微米): 240 ± 10 / 255 ± 10 / 260 ± 10 / 460 ± 5 / 465 ± 5 / 475 ± 5
IXF-ACF系列纯硅芯多模光纤,具有大芯径和超高数值孔径,特别适用于从可见范围到近红外范围的功率传输和光谱学应用的光收集。