• MTPD1346D-150 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为50至190 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • INP02KK40D101 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fF

    II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为18 GHz(O/E),电容为80 FF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息,请联系我们。

  • IG22-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pF

    Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度,并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装,是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

  • IG24-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG24系列是一款光电二极管,波长范围为2.35µm,电容为60至1040 PF,暗电流为0.2至25 uA,响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W,有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息,请联系我们。

  • IG26-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻,在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。

  • L2200D1810-JH 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3

    Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

  • SAE230VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管,在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

  • SAE500VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAE500VX是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,电容为4至10 PF,暗电流为5至30 nA,响应度/光敏度为30至38 A/W,上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息,请联系我们。