• FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

    FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸,封装在4针TO-46或TO-52封装中,为高速信号放大提供了理想条件。

  • AS825-UDK-H/AS825-EDK-H 高精度光电传感器 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    安装位置: Overhead: 25 Ft – 30 Ft / Overhead: 7.6 - 9.2m 视场角: 60 degrees 角分辨率: 0.667 degree 扫描速率: 360 scans per second per beam 车辆分类类别: 11 standard, plus 20 user-definable

    AS825-UDK-H和AS825-EDK-H是用于开放道路上进行车辆检测、分类的高精度光电传感器,支持多车道监测和以太网、RS-422数据接口。用于多车道开放道路实现车辆检测、分离、分类和相机触发的设备。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

    1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块,采用超紧凑封装,不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景,掺铒光纤放大器和传感器。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • 1999CMX 高性能980纳米泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 150-550mW 无故障功率: 290-620mW 正向电流: 640-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMX是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面质量认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块具有小型封装,密封良好,并集成了热电制冷器、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管。1999CMX是3SP Technologies推出的高性能980纳米泵浦模块,适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器。

  • Laser Controller C150 温度和激光驱动的设备 半导体激光器驱动器
    电源选项1: +12 V/2 A -12 V/0.5 A 电源选项2: +12V/0.5 A -12V/0.5A +5V /1.5A 激光电流控制: 0 - 250 mA 恒流输出电压: > 4.0 V 设置精度: 2 % fs

    C150结合了集成的温度驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性;激光TEC可以使用单独的电源。TEC控制可以通过内置的PI环路或外部信号。激光驱动具有250 kHz的模拟带宽;通过SMB连接器提供单独的快速TTL兼容开关。激光电流具有250 mA的硬件限制,除非定制,否则不能超过。适用于光谱学、激光和精密仪器等应用,具有高精度和线性温度控制功能。

  • Laser Controller C151 温度控制和激光驱动设备 半导体激光器驱动器
    功率: Molex MicroFit 8针。 激光电流控制: 0 - 250 mA. 硬件限制。 恒流输出电压: > 4.0 V 设置精度: 2% fs 噪声(均方根): < 2µA

    RedWave Labs Laser Controller C151集成了温控驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性,能够使用独立的电源供应激光TEC。TEC控制可通过内置的PI环路或外部信号完成。激光驱动具有250 kHz的模拟带宽,并通过SMB连接器提供单独的快速TTL兼容开关。激光电流具有硬件限制250 mA,无论如何都不可超过。

  • Laser Controller C154 250kHz激光调制 半导体激光器驱动器
    功率: Dual +12 V, 2 A or +12 V/0.5A and +5V/1.5A; -12 V, 0.5 A 激光电流控制: 0 - 250 mA. Hardware limit. 激光电流: Can be modified for customized versions. For example C154-70 has 70 mA maximum current limit. 恒流输出电压: > 4.0 V 设置精度: 2 % fs

    Redwave Labs Laser Controller C154集成了温度驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性,能够使用独立电源供电给激光TEC。TEC控制可以通过内置的PI环路或外部信号进行。激光驱动具有250 kHz的模拟带宽,通过SMB连接器提供单独的快速TTL兼容切换。激光电流有250 mA的硬件限制,无论如何都不能超过。定制版本的电流限制由客户请求设置。在这种情况下,名称将反映最大电流限制,如C154-70,70代表最大电流。

  • Laser Controller C158 激光控制器 半导体激光器驱动器
    功率: 双选项:Option 1: +12V, 2A 或 +12V/0.5A; Option 2: +5V/1.5A; -12V, 0.5A 激光电流: 0 - 250mA,硬件限制,可为定制版本修改,例如C154-70的最大电流限制为70mA 恒流输出电压: > 4.0V 设置精度: 2% fs 激光电流控制噪音: < 2µA

    Redwave Labs的激光控制器C158集成了温度驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性,且能够使用独立电源为激光TEC供电。TEC控制可以通过内置的PI环路或外部信号完成。激光驱动器具有250kHz的模拟带宽,并通过SMB连接器提供独立的快速TTL兼容开关。激光电流具有250mA的硬件限制,在任何情况下都不能超过。

  •  D320-B400K-G10M-DC-FS 低噪声光电接收器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    光谱响应: 300-1100nm 外形尺寸: 57.2 x 48.8 x 19.3mm (Without C-Mount adaptor) 重量: 200g 存储温度: -20 to 85C 工作温度: 0 to 70C

    RedWave Labs Ltd的Low Noise Visible Photoreceiver D320-B400K-G10M-DC-FS,是一款用于光子学、光谱学和OEM应用的低噪声光电接收器。基于我们的低噪声电流放大器设计,适用于多种仪器。光谱范围覆盖300-1100nm,具有单一增益设置,直流耦合和400kHz的带宽。设备上有多个安装孔,适用于不同的安装方向。可以作为独立仪器使用,也可以作为OEM单元。

  • AD200 高效单光子探测器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    量子效率: 70% 量子效率: 55% 功率: 单一+12V 波长: 400-1100nm 光电二极管击穿电压: 125V@25C

    Redwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块,内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域(约650nm)有很高的探测效率,并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ,可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。

  • QubeDT-F  高性能的光电探测器 光电探测器
    意大利
    分类:光电探测器
    厂商:ppqSense S.r.l.
    直流偏置电压: 500mV 温度稳定指示: T LOCK LED

    QubeDT-F Fast Balanced Photodetector是一款高性能的光电探测器,专为激光器光强和光束质量精确测量而设计。QubeDT-F可快速差分平衡光电探测器,用于精确测量激光器的光强和光束质量。

  • QubeDT-F 快速平衡光电探测器 光电探测器
    意大利
    分类:光电探测器
    厂商:ppqSense S.r.l.
    波长: μm 探测器型号: PVI-4TE-5 光学面积: 1 x 1 mm 窗口: sapphire wedged wAlO2 3 带宽: DC-250 kHz

    QubeDT-F快速平衡光电探测器,专为快速光电探测和信号噪声抑制而设计,提供优异的信噪比增强。QubeDT-F快速平衡光电探测器是一款预备产品,具备高速的AC通道带宽和嵌入式光学平衡检测技术。

  • L-Scan 404 FBG传感器测量 光纤布拉格光栅
    通道数量: 4 扫描频率: 0.5Hz 波长范围: 1528-1568nm 工作温度范围: -5°C to +50°C 存储温度范围: -10°C to +60°C

    L-Scan 404 Interrogation Unit是一款专门为FBG传感器测量开发的光电产品,具有自动识别配置、数据记录和先进的传感器模板编辑功能。用于并行FBG测量的易于使用、性价比高的询问器,配备完整的测量软件包Sentinel。

  • AC1409系列单模泵浦激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 运行功率: 540-700mW 中心波长: 980nm 波长公差: -1/+1nm (FBG), -5/+5nm (without FBG) 光谱温度漂移: 0.01nm/°C (FBG), 0.30nm/°C (without FBG)

    AC1409系列单模冷却980nm泵浦激光器,提供超过700mW无突跳的光纤耦合功率。采用独特的激光焊接封装技术,确保在严苛的操作条件下高可靠性。通过先进的光纤尾纤构造技术实现改善的偏振消光比(PER)。14针蝶形封装为密封式,可选配光纤布拉格光栅(FBG),包括热电制冷器、热敏电阻、监测光电二极管和UniDry™干燥剂。适用于国防、工业和生命科学等领域。

  • EM655 集成高带宽DFB激光器的RF发射器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率设定点: 1310nm设备18mW,C-band设备10mW 中心波长: 1310nm设备, 25°C λ-10λλ+10nm,C-band设备, 25°C λ-1λλ+1nm 光输出功率波动: 65-100PPM 长期功率波动: 0.1-0.2% 温度依赖功率漂移: 0.35%

    EM655是基于精确的DFB激光技术的高性能单频模块。这个RF发射器集成了高带宽光纤耦合DFB激光器,超低噪声激光电流源和温度控制器,还包括光隔离器和背面监测探测器读出放大器。适用于RF链接、CATV、激光器和感测等应用场景。