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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: YesExcelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: YesExcelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nAOSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 30 pF 暗电流: 500 to 600 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至30 PF，暗电流为500至600 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.有关DL-10的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 375 pF 暗电流: 500 to 5000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-10C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至375 PF，暗电流为500至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DL-10C的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10 to 14 pF 暗电流: 30 to 175 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为10至14 PF，暗电流为30至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.下面可以看到DL-2的更多详细信息。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 60 pF 暗电流: 50 to 1000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DL-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为35至60 PF，暗电流为50至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.下面可以看到DL-4的更多详细信息。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 暗电流: 50 to 400 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 暗电流: 100 to 1000 nA
OSI Laser Diode，Inc.的DLS-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为580至725 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-20的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 375 pF 暗电流: 10 to 5000 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-2S是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至375 PF，暗电流为10至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-2S的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.94 to 0.96 pF 暗电流: 25 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-010HRL是波长范围为850nm、电容为0.94至0.96pF、暗电流为25至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为47至50ps的光电二极管。有关FCI-125G-010HRL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 暗电流: 40 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。
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