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  • LPAD 0004 光纤接收器
    LPAD 0004
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 4 Mb/s 探测器灵敏度: -48 to -50 dBm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0004是数据速率为4Mb/s、检测器灵敏度为-48至-50dBm、波长范围为1310至1550nm、电源电压为4.75至5.25V、电源电流为30mA的光纤接收器。有关LPAD 0004的更多详细信息，请联系我们。

  • LPAD 0052 光纤接收器
    LPAD 0052
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 52 Mb/s 探测器灵敏度: -41 to -43 dBm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0052是具有数据速率52Mb/s、检测器灵敏度-41至-43dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0052的更多详细信息，请联系我们。

  • LPAD 0155 光纤接收器
    LPAD 0155
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 155 Mb/s 探测器灵敏度: -37 to -39 dBm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0155是具有数据速率155Mb/s、检测器灵敏度-37至-39dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0155的更多详细信息，请联系我们。

  • LPAD 0622 光纤接收器
    LPAD 0622
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 622 Mb/s 探测器灵敏度: -31 to -33 dBm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0622是具有数据速率622Mb/s、检测器灵敏度-31至-33dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0622的更多详细信息，请联系我们。

  • RT2000PT-052FCL 光纤接收器
    RT2000PT-052FCL
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -38 to -40 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-052FCL是一种光纤接收器，其检测器灵敏度为-38至-40 dBm，波长范围为1310至1550 nm，电源电压为4.8至5.5 V，电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-052FCL的更多详细信息，请联系我们。

  • RT2000PT-155FCL 光纤接收器
    RT2000PT-155FCL
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -36 to -38 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    来自OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-155FCL是具有检测器灵敏度-36至-38 dBm、波长范围1310至1550 nm、电源电压4.8至5.5 V、电源电流70至125 mA的光纤接收器。有关RT2000PT-155FCL的更多详细信息，请联系我们。

  • RT2000PT-622FCL 光纤接收器
    RT2000PT-622FCL
    美国
    分类：光纤接收器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -30 to -32 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-622FCL是一种光纤接收器，其检测器灵敏度为-30至-32 dBm，波长范围为1310至1550 nm，电源电压为4.8至5.5 V，电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-622FCL的更多详细信息，请联系我们。

  • LAPD 3050 光电探测器
    LAPD 3050
    美国
    分类：光电探测器
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF

    来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

  • UPD-100-IR1-P 光电探测器
    UPD-100-IR1-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA

    来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-200-SD 光电探测器
    UPD-200-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-200-SP 光电探测器
    UPD-200-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-200-UD 光电探测器
    UPD-200-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-200-UP 光电探测器
    UPD-200-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-30-VSG-P 光电探测器
    UPD-30-VSG-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-SD 光电探测器
    UPD-300-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-SP 光电探测器
    UPD-300-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-UD 光电探测器
    UPD-300-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器，波长范围为170~1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-UP 光电探测器
    UPD-300-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器，波长范围170~1100nm，上升时间300ps，暗电流0.01nA，带宽1GHz，有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-35-IR2-D 光电探测器
    UPD-35-IR2-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。

  • UPD-35-IR2-FC 光电探测器
    UPD-35-IR2-FC
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。